硅集成电路制造工艺一fppt课件.ppt

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时间:2020-09-26

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1、SiliconVLSITechnology硅基大规模集成电路制作技术集成电路的发展单个器件的尺寸越来越小晶片的尺寸越来越大器件变小减小光刻的特征线宽(Lateralfeaturesize)从设计上缩小器件的尺寸设计功能强大,集成度更高的器件晶片变大硅晶的生产工艺提高,可以生成更大直径的晶体薄膜生长,光刻,蚀刻等制作工艺的性能提高制作生产线的改进Moore’sLaw半导体材料:硅1960年以前,Ge和GaAs占半导体的主导地位。1953年,Brattain和Bardeen发现可以利用氧气,水等使半导体表面氧化;1960年,高质量的S

2、iO2直接生长在Si表面1947年,第一个点接触式半导体器件(复合锗晶体)诞生,两年后基于单晶硅的器件产生硅还具有其它良好特性,自此以后成为半导体领域的主导者IntelCPU的发展例:SiliconIC关键步骤或工艺晶体生长光刻氧化扩散离子注入蚀刻薄膜生长后道工艺光刻掩膜和套刻Photolithography氧化薄膜生长薄膜外延生长刻蚀离子注入CMOS工艺固体物理知识半导体掺杂PNJunction二极管MOS电容nMOSFET,pMOSFETMOSFETMOSFET工作原理

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