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1、.相移掩膜技术的原理、应用与进展一、概述随着大规模集成电路技术、设备和产品的不断发展，要求愈来愈高的光刻分辨率，使用更大的芯片和硅片尺寸。过去为了提高光刻分辨率，大多着眼于缩短曝光波长和提高光刻物镜的数值孔径，根据如下公式:分辨率：R=K1λ／NA（1）2焦深：DOF=K2λ／NA（2）式中λ为曝光波长，NA为光刻系统数值孔径，Kl和KZ为与抗蚀剂和工艺有关的常数。对于典型光刻系统Kl=0.7-1.0，KZ=0.4-0.5。从式(l)和(2)显而易见，缩短波长虽然提高了分辨率，但减小了焦深；增大NA可增大分
2、辨率，但同样使焦深缩短。焦深是光刻中的重要因素，由于硅片的不平度、抗蚀剂厚度不均匀性以及系统的调焦、调平等限制，实用光刻焦深往往有个最低限度(如士0.5um)，如小于此限度则难以实用，在这种情况下侈谈分辨率已毫无意义。当焦深在确定实际分辨率中起主要作用时，瑞利判据就不再适用。所以在传统掩模光刻技术中，继续增大NA、减小几不可能进一步改善实际分辨率。而且，波长缩短也是有限的，因为深紫外光源无论从可靠性、稳定性、可得性、维护和经济性以及光学材料的种类诸方面均不如现有的光源。新的光源，如KrF(248nm)准分子
3、激光器，要求频带压窄，价格昂贵；ArF(193nm)准分子激光器，长期辐照会改变光学材料性能，深紫外光学材料目前只有石英玻璃、CaF，和MgFZ几种，且加工困难，价格昂贵。NA增大，同样给光学设计和加工造成困难。所以在80年代中期，普遍认为光刻技术的极限约0.5um，再细就只有依赖于X射线和电子束了。1982年IBM研究实验室的MarLevenson，等人发表了有关相移掩模技术理论的论文，1990年以来，相移掩模研究成为热门课题，与其它光刻技术的发展一道，人们正把光刻技术极限推进到0.1um。预科PSM技术
4、有可能用于超大、特大和巨大规模集成电路时代。二、相移掩模的原理'..光刻技术的基本思想是硅片表面上象光强度由掩模上各个透光孔衍射的波的组合确定。图形特征尺寸、离焦量对象衬比、光强度、分辨率和象质有重要的影响。图形刻划的主要判据是图形的衬比。Levenson等人，提出的PSM方法可使衬比改善，分辨率比传统方法改善40%一100%。其原理是使透过掩模图形上相邻透光孔的光束之间产生180度相位差，因而使特征图形周期小时，硅片表面上相邻图形象之间因相消干涉使暗区光强减弱，由能量守恒定律知，势必使图形亮区象增强；而且
5、相邻透光区之间的相位相反，改变了掩模图形的空间频谱分布，消去了直流分量，压窄了频带，换句话说，使用相同的光刻系统，PSM(Levenson型)可使掩模图形的空间频率增加一倍时光刻系统仍能分辨，即分辨率提高一倍。由于反相，产生振幅通过零点，使象强度分布衬比(度)提高，改善了分辨率、边缘陡度和曝光量宽容度。光刻分辨率取决于照明系统的部分相干性、掩模图形空间频率和衬比及成象系统的数值孔径等。相移掩模技术的应用有可能用传统的光刻技术和i线光刻机在最佳照明下刻划出尺寸为传统方法之半的图形，而且具有更大的焦深和曝光量范
6、围。例如使用PSM，在NA=0.5，λ=248nm，分辨率可达0.15um；NA=0.6，λ=365nm，实际分辨率可达0.2um。相移掩模方法有可能克服线/间隔图形传统光刻方法的局限性。相移掩模类型多，分类方法也不同，但基本原理都是相邻透光图形透过的光振幅相位相反产生相消干涉、振幅零点和(或)频谱分布压窄，从而改善衬比、分辨率和象质。三、相移掩模的应用与进展随着移相掩模技术的发展,涌现出众多的种类,大体上可分为交替式移相掩膜技术、衰减式移相掩模技术；边缘增强型相移掩模,包括亚分辨率相移掩模和自对准相移掩模
7、；无铬全透明移相掩模及复合移相方式(交替移相+全透明移相+衰减移相+二元铬掩模)几类。尤其以交替型和全透明移相掩模对分辨率改善最显著,为实现亚波长光刻创造了有利条件。全透明移相掩模的特点是利用大于某宽度的透明移相器图形边缘光相位突然发生180度变化,在移相器边缘两侧衍射场的干涉效应产生一个形如“刀刃”光强分布,并在移相器所有边界线上形成光强为零的暗区,具有微细线条一分为二的分裂效果,使成像分辨率提高近'..1倍。随着移相器线宽缩小,则两个暗区靠拢合并成为宽暗区,从而又具有亚分辨率图形结构遮光效应,根据这个原
8、理,设计密集亚分辨率全透明移相图形,即可实现一种非常有用的无铬掩蔽功能。从而只用一种透明材料即可制作移相掩模,简化了制造工艺,因而构成和现有成熟的光掩模制作工艺具有很好的工艺兼容性。采用移相掩模技术和光学邻近效应校正技术相结合可以使193nm光源的光学光刻推进到45nm工艺节点上,再加上浸没透镜曝光技术和两次曝光技术的应用已使193nm光源的光学光刻进一步推进到32nm工艺节点,甚至有可能在22nm工艺节点得到应
