光掩膜技术基础.doc

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1、光掩膜技术基础1.2光学转印的主要曝光方式（1）光源照明系统掩膜基板掩膜图形接触光刻胶膜产品基板间隔几十微米光源照明系统接触式曝光(ContactPrinting)接近式曝光(ProximityPrinting)2008-4-1861.2光学转印的主要曝光方式（2）光源照明系统掩膜基板掩膜图形同吋扫描等倍投影反射式成像光学系统光刻胶膜产品基板等倍投影曝光（ProjectionPrinting）2008-4-18光源照明系统缩小投影透射式成像光学系统扫描缩小投影曝光(Step&RepeatPrinting)71.4光掩膜基本结构（1）普通铭版结构入射照明光透明基板遮光膜图形透过光掩膜

2、图形2008-4-1891.4光掩膜基本结构（2）GTM縮版结构入射照明光产品基板2008-4-18102.4銘版遮光膜膜层结构（1）（1）普通Mask用铭膜结构CrOCrGlassCrOCrCrOGlass两层膜结构三层膜结构2008-4-18162.4铭版遮光膜膜层结构（2）（2）HalfToneMask用CrOCrESCrOGlassHTTypeCrOCrESCrGlassFHTType2008-4-182.4铭版遮光膜膜层结构（3）（3）其他CrOCrCrOGlassCrCrOGlass表里面低反射膜型Cr膜型（可用于制作金版）2008-4-18183.1光掩膜图形形成方法图形数据

3、图形描绘设备放大图形原版缩小转印设备缩小转印光掩膜直接描绘光掩膜2008-4-18223.2光掩膜基本制作流程光掩膜图形制作光掩膜基板制作在玻璃基板上形成铭膜Mask数据图形制作通过光刻形成图形检查外观、尺寸、位置精度检查缺陷修补缺陷修补洗净贴Pellicle完成2008■牛1823数据准备曝光描绘显影蚀刻脱膜清洗3.3数据准备设计Mask产品规格系统设计RTLLayout设计/检查GDS-IIMask设计Mask制作数据Mask制作物理设计光掩膜图形设计流程2008-4-18243.6显影(2)主要显影方式显影液掩膜基板SprayNozzle吐出Nozzle显影液光刻胶膜浸入式Dip喷淋

4、式Spray旋覆浸没式Puddle最近，为了改善喷淋损伤及同心圆CD分别现象，还导入了SlitNozzleScan显影方式。2008-4-18283.7蚀刻(2)Cr+3Ce4++6NO3-—Cr(NO3)63-+3Ce3+成分硝酸肺氨过氯酸纯水化学式(NH4)2Ce(NO3)6HCIO4H20含量(重量％)13—183—577—84铭膜用蚀刻液组成比2008-4-18313.9光掩膜清洗(1)MaskBlank(WithResist)曝光、显影、刻蚀脱膜洗净检查、修补检查修补后洗净Pellicle残留洗净去PellicleMaskCWithPellicle)最终洗净贴Pellicle完成

5、检查Mask(WithPellicle)光刻工艺PatternMask(WithResist)涂胶涂胶前洗净形成Pattern的Mask光掩膜制作过程中清洗工序332008-4-183.9光掩膜清洗(2)SPM药品(浓度)硫酸(98%)双氧水(30%)混合比41温度温度］20°C时间lOmin光掩膜清洗的主要方式APM药品(浓度)NH40H(29%)H2O2(30%)H20混合比115温度70°C时间lOmin温度2008-4-18343.10光掩膜检查(2)里占八、、八、、(PinDot)针孔(Pinhole)毛刺(Protrusion)光掩膜主要缺陷类型断线(Disconnect)图形

6、脱落(Missing)凹陷(Intrusion)连线(Short)段差(Jog)线边不良(RoughEdge)2008-4-18353.12Pellicle技术异物玻璃基板遮光膜Pellicle膜黏着剂金属框投影光学系统光刻胶产品基板Pellicle防尘原理2008■牛1838