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时间:2020-09-30
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1、第七章半导体存储器和可编程逻辑器件概述ROMRAMPLDCPLD和FPGA11.概述能存储大量二值信息的器件一般结构形式输入/出电路I/O输入/出控制单元数庞大输入/输出引脚数目有限分类1、从存/取功能分:①只读存储器(Read-Only-Memory)②随机读/写(Random-Access-Memory)2、从工艺分:①双极型②MOS型2.ROM掩模ROM结构工作原理概念:存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”,存储单元中有器件存入“1”,无器件存入“0”字线和位线存储器的容量:“字数x位数”掩模ROM的特点:出厂时已经固定,不能更
2、改,适合大量生产简单,便宜,非易失性PROM(可编程ROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同写入时,要使用编程器。EPROM(可擦除的可编程ROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同用紫外线擦除的PROM(UVEPROM)电可擦除的可编程ROM(E2PROM)总体结构与掩模ROM一样,但存储单元不同存储单元数据的擦除和写入都是利用隧道效应,通过高压脉冲向浮置栅充,放电实现。快闪存储器(FlashMemory)类似SIMOS管编程和擦除操作不需要使用编程器,写入和擦除的控制电路集成于存储器芯片中用ROM存储器实现组合逻辑函数
3、基本原理从ROM的数据表可见:若以地址线为输入变量,则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数地址数据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110地址译码A1A0地址译码电路是与逻辑阵列,而且是全译码;存储矩阵是或逻辑阵列。举例:用16×4位的ROM设计一个将两个2位二进制数相乘的乘法器电路。点阵图3.RAM(随机存储器)SRAM(静态随机存储器)结构与工作原理举例:一个256×1位RAMSRAM的静态存储单元(基于SR锁存器)六管CMOS管组成静态存储单元。T1T4为SR锁存器,T5、T6为门控管;Xi=1时
4、,所在行被选中,T5、T6导通,锁存器的Q和Q′端与位线Dj、D′j接通;Yj=1时,所在列被选中,Tj、T′j导通,该列存储单元和读/写控制电路接通。DRAM(动态随机存储器)动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理存储单元以T2及其栅极电容C为基础构成,数据存于栅极电容C中。若电容C充有足够的电荷,使T2导通,这一状态为逻辑0,否则为逻辑1。数据经T5由Do输出。进行写操作时,R/W′为低电平,由于Yj为高电平,T4导通,输入数据Di经T4并由写入刷新控制电路反相,再经T1写入到电容器C中。这样,当输入数据为0时,电容充
5、电;而输入数据为1时,电容放电。RAM存储器容量的扩展位扩展方式适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时接法:将各片的地址线、读写线、片选线并联即可字扩展方式适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时4.PLD(可编程逻辑器件)可编程逻辑器件(ProgrammableLogicDevice)是从20世纪70年代初发展起来的一种新型逻辑器件,发展过程中,先后出现了PROM、PLA、PAL、GAL、CPLD、FPGA等类型。随着微电子技术、超大规模集成电路技术、计算机辅助设计(CAD)技术的进步和发展,PLD器件功能越来越强大,应用越
6、来越广泛。按照器件内部的集成度分为:简单PLD和复杂PLD按照器件内部的结构特点分为:阵列型PLD和现场可编程门阵列FPGA简单PLD(PROM、PLA、PAL、GAL)与或阵列型PLDCPLD现场可编程门阵列FPGA分类PLD的基本电路结构和电路表示方法PLD的基本电路结构PLD的逻辑符号表示方法输入缓冲器表示方法与门和或门的表示方法(a)与门(b)输出恒等于0的与门(c)或门(d)互补输出的缓冲器(e)三态输出的缓冲器(f)由编程数据控制的数据选择器F1=A′B+AB′F2=A′B′+ABF3=ABPAL(可编程阵列逻辑Progra
7、mmableArrayLogic)20世纪70年代末美国的单片存储器公司MMI率先推出PAL。采用双极型熔丝工艺,只能编程一次;由可编程的与门阵列、固定的或门阵列和输出电路组成;具有多种输出结构。PAL的基本电路结构AD未编程:编程后:PAL的多种输出结构根据PAL器件输出电路结构和反馈方式的不同,可将它们分成专用输出结构、可编程输入/输出结构、寄存器输出结构、异或输出结构、运算选通反馈结构等。(一)专用输出结构具有互补输出的专用输出结构(二)可编程输入/输出(可编程I/O)结构PAL的可编程输入/输出结构(三)寄存器输出结构通过反馈建
8、立起Qn与Qn+1之间的逻辑关系。(四)带有异或门的输出结构(1)可编程输入端XOR控制输出极性XOR=0,Y与S同相;XOR=1,Y与S反相;(四)异或输出结构(2)在寄存器输出结构基础上增加异或门实现输
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