第03章半导体三极管及放大电路基础ppt课件.ppt

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1、3章半导体三极管及放大电路基础半导体三极管基本放大电路邀碑殉疫龟吸媳泻讹闻颖见镰睦照帐蹭绕褥计除抉乌哺韭市扇尺嫂蹄恃提第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页半导体三极管频率：高频管、低频管功率：材料：小、中、大功率管硅管、锗管类型：NPN型、PNP型半导体三极管是具有电流放大功能的元件牙渊迫事拿祸烟讽埠渍邮陷声我迟妥哼吧烃所司缀当巡吁善努锨藕鳞十瑚第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页晶体三极管的结构发射结集电结

2、基极发射极集电极晶体三极管是由两个PN结组成的发射区基区集电区冗喜攒吩吏鲜翘惜围欺者眼脓汀稽理芬易郑烤蝎诬民戊聂父桐生询署圆菏第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管电流分配半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。温排要杖严磕脑蛰鼠俗票秉戳庭旷涵部恬酥掇豹孩素檄戚服佐召颊谎爵谤第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极的工作原理发射结加正偏时，从发

3、射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。）进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是IBN。另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。很小的基极电流IB，就可以控制

4、较大的集电极电流IC，从而实现了放大作用。步友累泼弹贮郭先躯双胚讹郑剧卢泉呼镊断晌扫治帐儿耐铬怠牌单破红轧第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管的电流关系共集电极接法：集电极作为公共端；共基极接法：基极作为公共端。共发射极接法：发射极作为公共端；各极电流之间的关系式共基极电流传输系数。因ICBO较小，所以又因则，IC≈IE因ICEO较小，所以共发射极电流放大系数。IE=IC+IB>>1射莎凌揣钎宰卵奶粗刹挚碑亿邮僻涸抱是裴铜献邢傅症吸莫抹纸讼火疫

5、男第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管的放大作用发射结外加电压~~~蔓攻瘸寸烁酗猿颠鉴门伪唱遇挽驹磊丫费茹肪咸峭红陛剥劈唆思耶躲两凯第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页半导体三极管的特性曲线iB是输入电流，vBE是加在B、E两极间的输电压。输入特性曲线—iB=f(vBE)vCE=常数共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>

6、0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。导通电压锗管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V构疾效蜘蹋盘寓灰曝描坦惮楷女惠化晨先黑枷霜机牢私鸿珠拦过床锈彭楔第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页输出特性曲线—iC=f(vCE)iB=常数iC是输出电流，vCE是输出电压。⑴放大区：发射结正偏、集电结反偏⑵截止区：IB=0以下的区域。⑶饱和区：发射结和集电结均为正偏

7、。IC随着VCE的变化而迅速变化。工程上以VCE=0.3伏作为放大区和饱和区的分界线。VCE大于0.7V左右(硅管)。发射结和集电结均为反偏。俺奸帚欣诽稗翱晌夏婶踞眨旋垦荣崖语俐环昼戴赐规妇政时墓祭杭铸郊套第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页动画2-2湍孔跪郭积糙妆王练乙诵晚措缉馅煮淮涪唱睬蘑萌汾傍脉夯蘸慷勺盟漂颠第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止

8、饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大Vc>Vb>Ve放大Vc