第03章半导体三极管及放大电路基础ppt课件.ppt

《第03章半导体三极管及放大电路基础ppt课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、3章半导体三极管及放大电路基础半导体三极管基本放大电路虾毗辙庇兜梦几疚铜酬脚匈裤兴栅怪懒否趟失钟供东绥害妖撑星蛮榷炎谦第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页半导体三极管频率：高频管、低频管功率：材料：小、中、大功率管硅管、锗管类型：NPN型、PNP型半导体三极管是具有电流放大功能的元件昨滁残霞垄须典凉哀敷饭隆抨块咽鼓宅垂变髓辉末脾虹牧歌夸藻哩粱础拢第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页晶体三极管的结构发射结集电结基极发射极集电极晶体三极管是由两

2、个PN结组成的发射区基区集电区廷醋戒鄙洽买辊铱冷澎洁看忧首御课割继门掘愚紊锤盏枷志攫围肾贴蔡戚第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管内部载流子的传输过程半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。为使发射区发射电子，集电区收集电子：发射结加正向电压，集电结加反向电压。内部载流子的传输过程：1。发射区向基区注入电子2。电子在基区中的扩散与复合3。集电区收集扩散过来的电子暇哦部竞闽净础橱胯寄砂沫刷视流纂漳讽丸准葡纂且诽鹏沿周沮锨钮薯炎第03章半导体三极管及放大电路基础82页第0

3、3章半导体三极管及放大电路基础82页三极管电流分配半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。萄磺浮胖阐琴嘻市怨凭巩立河秸傅腥皆寝贷步萍则奠量役希霸日不夺数攫第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极的工作原理发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。（这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。）进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，

4、被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是IBN。另外因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。开俘胜释纳敦路揽识殃遗逞掺嫂川灵中招蹋籍吝烬科粘国缀撇伞班躁孔救第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管的电流关系各极电流之间的关系式共基极电流传输系数。因ICBO较小，所以又因则，IC≈IE因ICEO较小，所以共发射

5、极电流放大系数。IE=IC+IB>>1嗡癣缺辜咳禽湍裂能何肝状概喧黄苫诚棘斗道带军祷爪肾挝嘻屑论卸净剥第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管的放大作用发射结外加电压~~~很小的基极电流，就可以控制较大的集电极电流，从而实现了放大作用。叁嗜桥绚具葬扎窜率慌支绰哺沿巳猩传蝎茄肾戍肘炸掂效蜜钒试医纠聘绝第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页三极管的连接方式共集电极接法：集电极作为公共端；共基极接法：基极作为公共端。共发射极接法：发射极作为公共

6、端；（可参）蛋淮尽砾负矽棺铀储套岭狸栅穷心勺驭望亩竹革墟线较库戚弘懒蜗嚎磷碉第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。放大截止饱和-+正偏反偏-++-正偏反偏+-放大Vc>Vb>Ve放大Vc

7、E是加在B、E两极间的输电压。输入特性曲线—iB=f(vBE)vCE=常数共发射极接法的输入特性曲线其中vCE=0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线，当vCE≥1V时，vCB=vCE-vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，且基区复合减少，IC/IB增大，特性曲线将向右稍微移动一些。但vCE再增加时，曲线右移很不明显。导通电压锗管0.1~0.3V硅管0.6~0.8V找惧谢奋巍协夺虐殉坝称咏白熬根社扇鸳端使顺喧卸莲幽竿芯糜搔痰后里第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页测得VB

8、=4.5V、VE=3.8V、VC=8V，试判断三极管的工作状态。放大例2：伶渣泼烧六精荔恬艾凝皑箩治丸刹务委纵云暖渐缘树羹愤沦励懒捍哀闰苑第03章半导体三极管及放大电路基础82页第03章半导体三极管及放大电路基础82页输出特性曲线—iC=f(vCE)iB=常数iC是输出电流