数电第2章门电路-PPT课件.ppt

数电第2章门电路-PPT课件.ppt

ID:58766299

大小:1.65 MB

页数:100页

时间:2020-10-03

数电第2章门电路-PPT课件.ppt_第1页
数电第2章门电路-PPT课件.ppt_第2页
数电第2章门电路-PPT课件.ppt_第3页
数电第2章门电路-PPT课件.ppt_第4页
数电第2章门电路-PPT课件.ppt_第5页
资源描述:

《数电第2章门电路-PPT课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第二章门电路数字电子技术基础FundamentalsofDigitalElectronicTechnology1第二章门电路2.3最简单的与、或、非门电路2.4TTL门电路2.6CMOS逻辑门电路*2.5其它类型的双极型数字集成电路*2.7其它类型的MOS集成电路2.1概述2.2半导体二极管和三极管的开关特性2.8TTL电路与CMOS电路的接口2§2.1概述门电路:是用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的电子电路。实现与运算的叫与门,实现或运算的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等。分立元件

2、门电路和集成门电路:分立元件门电路:用分立的元件和导线连接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低,负载差。集成门电路:把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门电路。3在数字电路中,一般用高电平代表1、低电平代表0,即所谓的正逻辑。反之,用高电平代表0、低电平代表1,即所谓的负逻辑。电位指绝对电压的大小,电平指一定的电压范围。高电平和低电平:在数字电路中分别表示两段电压范围。如在TTL电路中,通常规定高电平的额定值为3V,

3、但从2V到5V都算高电平;低电平的额定值为0.3V,但从0V到0.8V都算作低电平。关于高低电平的概念4100VVcc只要能判断高低电平即可K开------Vo=1,输出高电平K合------Vo=0,输出低电平对电路元件参数、电源的要求比模拟电路要低。ViVoKVccR可用二、三极管代替获得高、低电平的基本原理52.2半导体二极管和三极管的开关特性2.2.1半导体二极管的开关特性二极管具有单向导电性,外加正向电压时导通,外加反向电压时截止,相当于一个受外加电压极性控制的开关。6二极管等效电路应用于

4、二极管外电路电阻R值与其动态rD电阻等量级场合应用于二极管电路输入电压V正向幅值与VON差别不大,且R>>rD的场合,(数字电路属于此类)应用于二极管电路输入电压V正向峰值VPP>>VON,且R>>rD的场合(理想开关)VON≈0.7V(硅)0.3V(锗)rD≈几Ω~几十Ω等效电路7假定二极管D为理想开关元件,则:当VI=VIH=VCC时,D截止,VO=VOH=VCC;当VI=VIL=0时,D导通,VO=VOL=0。若二极管D为非理想开关元件,当VI=VIL=0时,D导通,VO=VOL=VON.一、

5、静态特性8二、动态特性给二极管电路加入一个方波信号.外加电压由反向突然变为正向时,要等到PN结内部建立起足够的电荷梯度后才开始有扩散电流形成,即浓度梯度建立产生的延迟.开通时间ton:二极管从截止变为导通所需的时间.外加电压由正向突然变为反向时,因PN结尚有一定数量的存储电荷,所以有较大的瞬态反向电流流过。随着存储电荷的消散,反向电流迅速衰减并趋近于稳态时的反向饱和电流.反向恢复时间tre:二极管从导通到截止所需的时间。一般为纳秒数量级(通常tre≤5ns)。ts为存储时间,tt称为渡越时间。tre

6、=ts十tt.一般:tre≥tonttvitstttontrevi00若输入信号频率过高,二极管会双向导通,失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。92.2.2半导体三极管的开关特性1.静态特性及开关等效电路在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。三极管的三种工作状态(a)电路(b)输出特性曲线10截止时等效电路(1)截止状态条件:发射结反偏特点:电流iC,iB约为011(2)饱和状态条件:发射结正偏,集电结正偏特点:UBES=0.7V,

7、UCES=0.3V/硅饱和时等效电路122.三极管的开关时间(动态特性)三极管的开关时间开启时间ton上升时间tr延迟时间td关闭时间toff下降时间tf存储时间ts13(1)开启时间ton三极管从截止到饱和所需的时间。ton=td+trtd:延迟时间tr:上升时间(2)关闭时间toff三极管从饱和到截止所需的时间。toff=ts+tfts:存储时间(几个参数中最长的;饱和越深越长)tf:下降时间toff>ton。三极管开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。142.2.3MOS管的开关特性一、

8、MOS管是金属—氧化物—半导体场效应管的简称。(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor)右图为N沟道增强型场效应管(NMOS)15P沟道增强型场效应管(PMOS)16MOS管特性N沟道增强型N沟道耗尽型P沟道增强型P沟道耗尽型17二、MOS管的输入特性和输出特性以N沟道增强型MOS管为例.MOS管是电压控制器件,用栅极电压VGS来控制漏极电流iD,如图所示的转移特性,表示在漏源电压VDS一定时,iD和VGS的关系

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。