模电经典例题解析ppt课件.ppt

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1、例题回顾例1.2.4设计如图所示稳压管稳压电路，已知VO=6V，输入电压VI波动10%，RL=1k。稳压管稳压电路解：（1）选择DZ：查手册，选择DZ为2CW13，VZ=(5~6.5V)，IZmax=38mA,IZmin=5mA（2）选择限流电阻R：例1.3.1图1.3.19所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN/PNP、硅/锗），并说明x、y、z代表的电极。图1.3.19提示：（1）晶体管工作于放大状态的条件：NPN管：VC>VB>VE，PNP管：VE>VB>VC；（

2、2）导通电压：硅管

3、VBE

4、=0.6~0.7V，硅管

5、VBE

6、=0.2~0.3V，图1.3.19例1.3.2已知NPN型硅管T1~T4各电极的直流电位如表1.3.1所示，试确定各晶体管的工作状态。晶体管T1T2T3T4VB/V0.71-10VE/V00.3-1.70VC/V50.7015工作状态提示：NPN管（1）放大状态：VBE>Von,VCE>VBE;（2）饱和状态：VBE>Von,VCE

7、ES=0.3V。求：当VI=0V、VI=1V和VI=2V时VO=?图1.3.20解：(1)VI=0V时，VBE

8、D=2mA，故uO=uDS=VDD-iDRd=18-28=2V，uDS-VGS(th)=2-6=-4V，显然小于uGS=10V时的预夹断电压，故假设不成立，管子工作于可变电阻区。此时，RdsuDS/iD=3V/1mA=3k，故解:(a)当uI=2V时，uI=uGS

9、，大于uDS=10V时的预夹断电压，故假设成立。1.4场效应管21图1.4.12解：由图中得N沟道JFET的vGS=0，此时，iD=IDSS=4mA。而uDS>

10、VGS(off)

11、=4V，所以vOmax=VDD-4V=12–4=8V，故RL=vO/IDSS=(0~8V)/4mA=(0~2)k。例1.4.3电路如图1.4.12所示，场效应管的夹断电压VGS(off)=-4V，饱和漏极电流IDSS=4mA。为使场效应管工作于恒流区，求RL的取值范围。解：（1）画直流通路例2.3.2放大电路如图所示。试求:(1)Q点

12、；(2)、、。已知=50。2.3放大电路的分析方法26（2）画微变等效电路ex5电路如图所示，晶体管的＝100，=100Ω。（1）求电路的Q点、、Ri和Ro；（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？解：（1）静态分析：动态分析：（2）Ri增大，Ri≈4.1kΩ；减小，≈－1.92。（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？如何变化？ex6电路如图所示，晶体管的＝80，rbe=1kΩ。（1）求出Q点；（2）分别求出RL＝∞和RL＝3kΩ时电路的和Ri；（3）求出R

13、o。解：（1）求解Q点：（2）求解输入电阻和电压放大倍数：RL＝∞时RL＝3kΩ时（3）求解输出电阻：ex7电路如图所示，晶体管的＝60，=100Ω。（1）求解Q点、、Ri和Ro；（2）设Us＝10mV（有效值），问Ui＝？Uo＝？若C3开路，则Ui＝？Uo＝？解：（1）Q点：、Ri和Ro的分析：（2）设＝10mV（有效值），则:若C3开路，则:ex1已知图(a)所示电路中场效应管的转移特性和输出特性分别如图(b)、(c)所示。（1）利用图解法求解Q点；（2）利用等效电路法求解、Ri和Ro。解：（1）在转移特

14、性中作直线uGS＝－iDRS，与转移特性的交点即为Q点；读出坐标值，得出IDQ＝1mA，UGSQ＝－2V。如解图（a）所示。在输出特性中作直流负载线uDS＝VDD－iD（RD＋RS），与UGSQ＝－2V的那条输出特性曲线的交点为Q点，UDSQ≈3V。如解图（b）所示。（2）首先画出交流等效电路（图略），然后进行动态分析。ex2已知图（a）所示电路中场效应管的转移特性如图（b）所示。求解