《模电例题分析》PPT课件

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1、例题分析Chapter1例1.1如何用模拟万用表的“”档来辨别一只二极管的正、负两极？模拟型万用表的黑表笔接表内直流电源的正端，而红表笔接负端。1、万用表测电阻时，其内部等效电路为G+–RnV低阻档的Rn小，高阻档Rn大，因而测同一电阻时，选用低阻档，流过被测电阻的电流大。2、二极管具有近似的指数型正向特性，二极管的直流电阻和动态电阻均随iD的增大而减小。用模拟万用表R10和R100档来测同一二极管的正向电阻时，为什么测得的电阻值会不相同？用高阻档测得的值为什么比低阻档测得的大？解：AO例1.2设图示电路

2、中各二极管性能理想，导通时的正向电压降为零、反向截止时的反向电流为零；R=5.1k，试判断各电路中的二极管是导通还是截止，并求出A、O两点间的电压VAO值。AO分析：1）由于二极管的特性为非线性，通常用比较二极管2个电极的电位高低来确定其工作状态。2）只含一个二极管时，先将其断开，求断开处的电压，然后来确定其工作状态。3）含二个二极管时，先设一个为截止，按2）判断另一个；然后求被设为截止的二极管两端电压，若大于零，则说明所设错误。例1.3电路中有三只性能相同的二极管D1、D2、D3和三只220V、40W的灯泡

3、L1、L2、L3互相连后，接入220V的交流电压v。试分析哪只（或哪些）灯泡最亮？哪只（或哪些）二极管承受的反向电压峰值最大？当电源电压正半周即v>0，D2导通，D1、D3截止，电路等效为：D1、D3各承受v/2的反向电压，峰值为vD1、vD3的波形：vD2的波形故灯泡L2最亮。当电源电压副负半周即v<0，D1、D3导通；D2截止，等效电路为：D2承受v的反向电压，峰值为例1.4RDZRLIOIZIUOUI++−−一硅稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压UI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管D

4、Z的稳定电压UZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。（a）试求UO、IO、I和IZ的值；（b）试求RL值降低到多大时，电路的输出电压将不再稳定。RDZRLIOIZIUOUI++−−（a）试求UO、IO、I和IZ的值DZ被反向击穿，使输出电压稳定，故解：（b）试求RL值降低到多大时，电路的输出电压将不再稳定。解：若DZ不能被击穿，电路不能稳定。代入UI、R及UZ可求得电路不再稳压时的RL，即分析：稳压管稳压时，管子必须反向击穿，条件是管子两端所接结点，在管子断开时的电压应大于其稳定电压。RDZRLI

5、OIZIUOUI++−−例1.5在放大电路中测得4个三极管的各管脚对“地”电位如图所示。试判断各三极管的类型（是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管），并确定e、b、c三个电极。（a）3V3.7V8V−3V2V2.3V（b）−5V−0.6V0V（c）−0.8V6V−1V（d）（a）3V3.7V8V-3V2V2.3V（b）-5V-0.6V0V（c）-0.8V6V-1V（d）（a）NPN型硅管，-发射极，-基极，-集电极（b）PNP型锗管，-集电极，-基极，

6、-发射极（c）PNP型硅管，-集电极，-基极，-发射极（d）NPN型锗管，-基极，-集电极，-发射极分析：1）工作于放大状态的三极管，发射结应正偏，集电结应反偏，因而NPN型有VC>VB>VE，PNP型有VC

7、VBE

8、=0.6~0.8V，锗管

9、VBE

10、=0.2~0.4V，则与基极电位相差此值的电极为发射极，并可判断是硅管还是锗管。3）余下一电极为集电极。4）集电极电位为最高的是NPN型管，集电极电位为最低的是PNP型管。例1.6测得电路中

11、三极管3个电极的电位如图所示。问哪些管子工作于放大状态，哪些处于截止、饱和、倒置状态，哪些已损坏？硅管-3V0V-2.7V硅管0V0.7V-3.5V发射结、集电结均反偏，管子截止。发射结反偏、集电结正偏均，管子倒置。硅管−2.8V−1.4V−3.5V锗管1.2V1.3V1.5V锗管1.8V3.7V1.5V发射结正偏、集电结反偏，管子放大。发射结、集电结均正偏，管子饱和。发射结正偏、集电结反偏，管子放大。锗管−0.3V−3V0V锗管1.3V1.1V1V硅管2V12V−0.7V发射结正偏、集电结反偏，管子放大。发射

12、结偏、集电结均正偏，管子饱和。VBE=2.7V，远大于发射结正偏时的电压，故管子已损坏。例1.7试从下述几方面比较FET和BJT的异同。1、FET的导电机理为_____，而BJT为______。比较两者受温度影响_____，优于_____。2、FET属于_____式器件，其G、S间的阻抗要____BJT的B、E间的阻抗，后者属于____器件。3、BJT3种工作区域是_____，而FET