第7章 半导体存储器和可编程逻辑器件ppt课件.ppt

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时间:2020-10-04

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1、数字电子技术及应用第7章半导体存储器和可编程逻辑器件概述7.1半导体存储器7.2可编程逻辑器件7.37.1概述半导体存储器和可编程逻辑器件(ProgrammableLogicDevice,PLD)都属于大规模集成电路(LSIC)或超大规模集成电路(VLSIC)。LSIC/VLSIC从应用角度可分为通用型、专用型、半定制专用型和用户可编程型四类。通用型器件和SSIC、MSIC一样,是已经定型生产的标准化、系列化产品。优点:集成度高、功能强、功耗小、价格便宜、适用面广;缺点是逻辑功能固定,开发研制费用较高。专用集成电路(Application-Specific

2、IntegrationCircuits,ASIC)是为某类专门设备或某种专门用途,由工厂根据用户的电路设计图专门定制的具有特定功能的集成块,只能用于一种或几种专用设备和系统中。这类芯片比通用型芯片更有利于缩小系统体积,减少信号连线,提高电路可靠性,且利于电路保密。缺点是设计、生产成本高,研制周期长,所以除大批量生产外一般很少采用。半定制专用型芯片(Semi-CustomApplication-SpecificIntegrationCircuits,SCASIC)是介于通用型和专用型之间的一种LSIC/VLSIC。较典型的有门阵列(GateArray,GA)

3、和标准单元(StandardCell,SC)两种。这种芯片的研制工作通常是在用户和厂家的密切协作下完成的。用户可编程型电路,是一种可由用户自己定义或改写功能的逻辑器件,称为可编程逻辑器件(PLD)。利用PLD进行逻辑设计,不仅设计灵活方便,而且具有较理想的性价比,较高的性能指标,较低的风险和较短的设计周期,特别适于需要反复调试、修改的研制性设计。PLD是20世纪70年代发展起来的一种新型LSIC/VLSIC逻辑器件。从那时以来,它大体经历了PROM、PLA、PAL、GAL、EPLD、FPGA和CPLD等发展过程。其中PROM、PLA、PAL和GAL通常称为

4、简单可编程逻辑器件(SimplePLD,SPLD)或低密度可编程逻辑器件(LowDensityPLD,LDPLD),而EPLD、FPGA和CPLD则被称为高密度可编程逻辑器件(HighDensityPLD,HDPLD)。7.2半导体存储器能存储大量二值信息的器件存储器的容量:存储器的容量=字数(m)×位数(n)例:210×8性能指标存储容量存储时间分类只读存储器(Read-OnlyMemory,ROM)随机存取存储器(RandomAccessMemory,RAM)7.2.1随机存取存储器(RAM)1.RAM的基本结构存储单元有静态存储单元和动态存储单元两种

5、。(1)存储矩阵①静态随机存储器(SRAM)的存储单元采用CMOS工艺的SRAM不仅正常工作时功耗很低,而且还能在降低电源电压的状态下保存数据,这一特点使它在交流供电电源掉电后可用后备电池继续供电,以保持存储器中的数据不致丢失。这就在一定程度上弥补了半导体随机存储器数据易失的缺点。②动态随机存储器(DRAM)的存储单元RAM的动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成的。(2)地址译码器地址译码器就是用于实现对RAM芯片中字单元的选择,即地址选择。由于RAM芯片的存储容量一般都很大,所以地址译码器多采用双译码结构,即将输入地址分为两部分,分别

6、由行译码器和列译码器进行译码。2.集成RAM芯片RAM芯片举例MCM6264是CMOS静态RAM。存储容量:213×8=8K×8(位)7.2.2只读存储器1.ROM的基本结构存储容量:2n×m(位)实际上,ROM的地址译码器就是由大量“与”门组成的,称为“与”阵列;而存储矩阵则由大量“或”门组成,称为“或”阵列。任何逻辑函数写成最小项表达式后都是若干个最小项之和,所以利用上述ROM结构,可以实现任意包含n变量的逻辑函数。由此可见,ROM不仅可作为只读存储器使用,也可用于实现任意组合逻辑函数。图中,“与”阵列包含2n个n端输入“与门”,产生2n个输出,每个输

7、出代表一个包含n变量A0~An-1的最小项。“或”阵列包含的“或”门个数就是ROM的输出端数,即存储字的位数m,每个“或”门输出端得到的是若干个最小项之和。4×4位MOS场效应管ROMROM电路中每个位单元所存储的数据,是以该单元是否设置MOS场效应管(也可以是二极管或双极型三极管)来表示的,设置了管子表示存入“1”,未设置管子表示存入“0”(当然也可以相反)。ROM的分类按或阵列所用器件类型不同,有二极管ROM、双极型三极管ROM和MOS场效应管ROM之分。根据存储内容写入方式的不同,可分为固定ROM,也称掩膜ROM可编程ROM(PROM)可擦除可编程R

8、OM:有光擦除(EPROM)和电擦除(E2PROM)两种。特点:出

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