PN结直流电流电压方程ppt课件.ppt

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1、本小节所得的结果不仅可作为求解连续性方程时所需的边界条件,而且在其他章节也有很重要的用途。已知在平衡PN结耗尽区两侧边界上的空穴浓度有如下关系:当外加电压V后:从而得:2.3.2、中性区与耗尽区边界的少子浓度与外加电压的关系以上两式说明:当PN结有外加电压V时,在小注入条件下,中性区与耗尽区边界处的少子浓度等于平衡时的少子浓度乘以exp(qV/kT)。上式对正、反向电压均适用。在小注入条件下,,因而在N型区与耗尽区的边界处,即在xn处有:同理,在-xp处有:假设中性区的长度远大于少子扩散长度,则可得少子浓度的边界条件:对于非平衡少子,其边界

2、条件为:将R写作;直流情况下,;又因,故可得:已知N区中的空穴扩散方程为上式中,,称为空穴的扩散长度,其典型值为10μm。扩散方程的通解为:2.3.3、载流子分布的求解假设N区足够长(>>Lp),则的边界条件为:利用此边界条件可解出系数A、B,于是可得N区内的非平衡少子空穴的分布为:正向时PN结中的少子分布图:P区内的非平衡少子电子也有类似的分布:P区N区同理可得P区内的电子扩散电流为:假设中性区内无电场,故可略去空穴电流密度方程中的漂移分量,将上面求得的代入后,得:2.3.4正向扩散电流总的PN结扩散电流密度Jd为:当时,,当(室温时约为

3、26mV)时,对Jo的讨论:与材料种类的关系:EG↑,则ni↓,Jo↓。与掺杂浓度的关系:ND、NA↑,则pno、npo↓,Jo↓(主要取决于低掺杂一侧的掺杂浓度)。与温度的关系:T↑,则ni↑,Jo↑。薄基区二极管的扩散电流(该结果在第三章中有重要用途)薄基区二极管是指PN结的某一个或两个中性区的长度小于少子扩散长度。这时其扩散电流Jd会因为边界条件不同而有所不同。但势垒区产生复合电流Jgr的表达式无任何变化。前面讨论少子的边界条件时曾假设中性区长度远大于少子扩散长度,因此有:PNWB0薄N区二极管边界条件为:利用上述边界条件,求解扩散方

4、程得到的N区中的非平衡少子分布近似为:上式对正、反电压都适用。类似地可得P区中的非平衡少子分布的表达式。薄基区二极管中的少子分布图为:正向:反向:P区N区精确公式,近似公式P区N区当WB<

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