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1、第35卷第1期Vol.35,塑l微电子学2005年2月材icroelectnicsFeb.2005ro:一一一文章编号10043365(2005)01005603一高速CMOS预放大锁存比较器设计‘,‘,‘,“,‘,,,‘,‘宁宁于奇王向展任雪刚李竞春唐林梅丁蕾杨谈华(1.,四川成都610054;2.上海力通微电子有限公司,上海。。233)电子科技大学微电子与固体电子学院2:一,摘要基于预放大锁存理论提出了一种带1级预放大器的高速CMOS锁存比较器电路拓扑、。结构;阐述了其传输延迟时间回债噪声和输入失调电压的改进方法采
2、用典型的0.35拼m/3.3V硅S工艺,,3,6.8mV,CMO模型通过Cadence进行模拟验证得到其传输延迟时间80Ps失调电压,。回馈噪声对输入信号产生的毛刺峰峰值50拜V功耗612拌W该电路的失调电压和回馈噪声与带,。两级(或两级以上)CMOS预放大锁存比较器的指标相近且明显优于锁存比较器其功耗和传输延迟时间介于。。两种比较器之间该电路可用于高速A/D转换器模块与IP核设计:;;;;关键词预放大锁存器锁存比较器高速比较器传输延迟回债噪声.:TN4321:中图分类号文献标识码ADesignofaHighSpeed
3、COSPreamPlifier一LatchCoaratorMmPn‘,‘,an一zan‘,ue一an,,n一eun’,NINGNigYUQiWANGXighRENXggLlJighnl,n一el,o一ua,TANGLiMEIDigliYANGMhoeo”..·.(cocreetroicsa一rateectrooics,:iveceicnooa,e,“.icua”;1SholofMildSOlidSElUElS衣TehlofChiChgdSh610054····va二eena‘“it:,angha:,:na2AddA肠g
4、CrcCorPSh200233PRCh)srae:aseonpreaer一atcteory,atopoogystructureoositiveeeaeeoaratoreir-AbttBdmplifilhhlfeMOSpfdbkmpeuitwitreaer15presente,anetostorovetransteaytime,e一aenoiseannputosethpmplifiddmhdimpmidlkikbkdiffvoltageoftheeireuitaredeseribed.Basedonstandard0.3
5、5拼m/.3VsilieonCMOSproeessmodel,thedeviee153simulatedwithCadeneeEDAsoftware.Simulationshowsthattheeireuithasapropagationdelaytimeof380s,p·anoffsetvoltageof8mV,ae一aeiseinueenputsnateo,anapowerssipat沁no6kikbknoddiiglglihf500”Vddif612产W.Thevalueofoffsetvoltageandkie
6、k一baeknoiseoftheeireuitapproaehestoCMOSpreamplifier一lateheswithtwo一ormulti一stagepreamplifier,andevidentlylessthanCMOSlateheomparatorwithpositivefeedbaek.Itspowerdissipationandpropagationdelaytimeareatradeoffofthetwoeomparators.Thecireuit15applieableforhigh一speed
7、A/DeonvertermodulesandIPeoredesign·eors:preaer一ate;Lateeoarator;一speeeoarator;propagatoneay;Kie一aeKywdmplifilhhmpHighdmpidlkbknotseEEACC:1265H传统的预放大锁存比较器利用比较器级数优化1,,引言理论[1j采用3级或3级以上的预放大器使其有很小的传输延迟时间和很低的回馈噪声。但这些高指标、高速高精度A/D转换器被广泛应用于现代通都是以非常高的功耗和大的芯片面积为代价的。综,,信和信号
8、处理系统的模拟前端接口电路其性能主合考虑以上因素本文给出了预放大锁存比较器的。,要取决于电压比较器对于高性能比较器不仅要求延迟时间、失调电压和回馈噪声的理论分析,并基于,。其具有低电流损耗和紧凑的芯片面积还应具备低此进行了电路设计与优化延迟时间、低失调电压和低回馈噪声等特点。锁存比,,较器功耗很小占用的芯片面积也很小通常应用于2预
