直流磁控溅射法制备ITO薄膜及增透效果的研究.pdf

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时间:2020-03-27

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1、分类号:0484UDC:密级:编号:直流磁控溅射法制各ITO薄膜及增透效果的研究StudyonPreparationandAREffectofITOThinFilmbyDcMagnetronSputtering学位授予单位及代码:篮蚕堡王盔堂£!Q!堑2学科专业名称及代码:堑堡电王堂!Q8Q塑12研究方向:红±E挂苤盈墨堡趟指导教师:互鞋巅热量论文起止时间:2009.07—2叭012申请学位级别研究生硕士型錾垃长春理工大学硕士(或博士)学位论文原创性声明本人郑重声明;所呈交的硕士学位论文,《直流磁控溅射法制备ITO薄膜及增透效果的研究》是本人在指导教师的指导下,独立进行研究工作所取得

2、的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。作者签名:垂垒叠童_L年—兰月—堕目长春理工大学学位论文版权使用授权书本学位论文作者及指导教师完全了解“长春理工大学硕士、博士学位论文版权使用规定”,同意长春理工大学保留并向中国科学信息研究所、中国优秀博硕士学位论文全文数据库和CNKI系勋数据库及其它国家有关部门或机构送交学位论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权长春理工大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进

3、行检索,也可采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编学位论文。作者签名:垒蝤!±:生年—三月—!狙导师签名:—i!!丝跫![年三月二些日摘要透明导电氧化物(TCO)薄膜具有透明性和导电性,广泛应用在平面显示器、太阳能电池、表面发热器、热辐射反射镜、电磁屏蔽以及辐射防护等领域。掺铟氧化锡(ITO)薄膜属于透明导电氧化物薄膜中的一种。本文在室温条件下制各了ITO薄膜,采用紫外一可见光一红外分光光度计、四探针电阻仪、AFM、XRD、SEM等仪器对薄膜的光电性能和表面形貌进行了测定和分析。本文采用直流磁控溅射法室温条件下制各了ITO薄膜,优化了ITO薄膜的制各工艺,如靶材的角度、氧流量、溅射

4、时间和溅射功率对薄膜的透过率、方阻和表面结构的影响。得到方阻和透过率随靶材的角度、氧流量、溅射时间和溅射功率的变化曲线。当靶材角度在23~25。、氧流量在7-9sccm、溅射时间在60—90min和溅射功率在100~120W时获得可见光透过率高于90%,方阻在10—20列D(方阻单位)之间的优质ITO薄膜。且溅射时间和溅射功率影响ITO薄膜的结晶程度.溅射时间60分钟,在(222)晶面择优取向;溅射功率为120w,在(222)和(221)晶面同时出现了衍射峰。通过对]TO薄膜进行热处理.薄膜的透过率和表面形貌进行了优化,当溅射角度较小,氧流量约为7sccm,溅射时间和溅射功率越大时,

5、热处理后的薄膜可见光透过率达到95%以上,薄膜表面粗糙度较小,薄膜致密。通过采用射频磁控溅射法在Ar气氛下制备Si02薄膜,实验结果表明,在相同工艺条件下,调节溅射时间和溅射功率,增透过的ITO薄膜透过率都有提高,透过率在可见光范围内增加幅度先增大后减小,当溅射时间为15min,溅射功率为230W时,可见光透过率最高。由于ITO薄膜的透过率较高,增透后样品可见光透过率最高接近100%。由SEM图可知Si02薄膜表面致密均匀光滑,平整度较好。Si02改善了ITO薄膜的表面形貌,表面的光洁度也要强于]TO薄膜。关键词:110薄膜磁控溅射SiOz薄膜透过率AbstractIranspare

6、nteooduct[veoxidc:(TCO)filmswithhavetransparentandconductivecharacteristics,havebeenwidelyusedingraphicLCD,solarbattexyelectrodes.surfaceheaters,heatmirroLelectromagneticshieldingandradiationprotectionIndiumtinoxide(1TO)filmsbelongtotransparentconductiveoxidefdmsInthispaper,ITOfilmshavebeenprep

7、aredatroomtenlperature,andmeasuredandanalyzedphotoelectricpropertiesandsurfacemorphologybyUltraviolet·visible—infraredspactrophotomcter,fourproberesistancemeter,AFM.XRDandSEMlnthispaper,1TOfilmhavebeenpreparedandpreparationtechnol

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