模电期末考试缩印.doc

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1、当温度升高时，三极管的参数β会上升，Icbo会上升。整流是利用二极管的单向导电特性将交流电变为直流电。双极型晶体管在制作工艺上的特点是，基区较薄，掺杂浓度低；发射区掺杂浓度高，集电结面积很大。差动放大电路具有电路结构对称的特点，它能放大差模信号，而抑制共模信号。双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。场效应管属于电压控制型器件。导通电压Ube=Ub-Ue,硅管为0.7V，锗管为0.3V,PNP：Ve>Vb>Vc,NPN:Vc>Vb>Ve在25℃时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，

2、反向饱和电流Is≈0.1pA,则在35℃时，Uth≈0.475V，Is≈0.2pA串联型稳压电路中，用作比较放大器的集成运算放大器工作在线性放大状态。乙类放大电路是指放大管的导通角等于180°理想运放的开环差模增益Aod为∞，共模增益为0要求互道增益稳定应选电流串联负反馈。放大电路引入直流负反馈后将稳定静态工作点。交流负反馈作用：稳定放大倍数；改变输入电阻和输出电阻；展宽频带；减小非线性失真。已知变压器二次电压为根号2倍U2sinwtV,负载电阻为RL，则桥式整理电路中二极管承受的反向峰值电压为根号2倍U2.交

3、越失真是非线性失真。某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入1KΩ负载电路后输出电压降1V，则该放大电路的输出电阻为3KΩ。R0=(U0’/U0-1)RLP型半导体是在纯净的硅晶体中渗入三价元素如硼，N型则渗入五价元素如磷。阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。直接耦合交流直流都可以放大。直接耦合多级放大电路各级的Q点互相影响，阻容耦合的Q点相互独立。多级放大电路的通频带和组成它的各个单管放大电路的通频带宽一样。自激振荡的平衡条件丨AF丨=1.A+f=(2n+1)π当温度升高时，三极管的参数β

4、会上升，Icbo会上升。整流是利用二极管的单向导电特性将交流电变为直流电。双极型晶体管在制作工艺上的特点是，基区较薄，掺杂浓度低；发射区掺杂浓度高，集电结面积很大。差动放大电路具有电路结构对称的特点，它能放大差模信号，而抑制共模信号。双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。场效应管属于电压控制型器件。导通电压Ube=Ub-Ue,硅管为0.7V，锗管为0.3V,PNP：Ve>Vb>Vc,NPN:Vc>Vb>Ve在25℃时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA

5、,则在35℃时，Uth≈0.475V，Is≈0.2pA串联型稳压电路中，用作比较放大器的集成运算放大器工作在线性放大状态。乙类放大电路是指放大管的导通角等于180°理想运放的开环差模增益Aod为∞，共模增益为0要求互道增益稳定应选电流串联负反馈。放大电路引入直流负反馈后将稳定静态工作点。交流负反馈作用：稳定放大倍数；改变输入电阻和输出电阻；展宽频带；减小非线性失真。已知变压器二次电压为U2sinwtV,负载电阻为RL，则桥式整理电路中二极管承受的反向峰值电压为U2.交越失真是非线性失真。某放大电路在负载开路时的

6、输出电压为4V，接入1KΩ负载电路后输出电压降1V，则该放大电路的输出电阻为3KΩ。R0=(U0’/U0-1)RLP型半导体是在纯净的硅晶体中渗入三价元素如硼，N型则渗入五价元素如磷。阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。直接耦合交流直流都可以放大。直接耦合多级放大电路各级的Q点互相影响，阻容耦合的Q点相互独立。多级放大电路的通频带和组成它的各个单管放大电路的通频带宽一样。自激振荡的平衡条件丨AF丨=1.A+f=(2n+1)π当温度升高时，三极管的参数β会上升，Icbo会上升。整流是利用二极管的单

7、向导电特性将交流电变为直流电。双极型晶体管在制作工艺上的特点是，基区较薄，掺杂浓度低；发射区掺杂浓度高，集电结面积很大。差动放大电路具有电路结构对称的特点，它能放大差模信号，而抑制共模信号。双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结正向偏置，集电结反向偏置。场效应管属于电压控制型器件。导通电压Ube=Ub-Ue,硅管为0.7V，锗管为0.3V,PNP：Ve>Vb>Vc,NPN:Vc>Vb>Ve在25℃时，某二极管的死区电压Uth≈0.5V，反向饱和电流Is≈0.1pA,则在35℃时，Uth≈0.475V，Is≈

8、0.2pA串联型稳压电路中，用作比较放大器的集成运算放大器工作在线性放大状态。乙类放大电路是指放大管的导通角等于180°理想运放的开环差模增益Aod为∞，共模增益为0要求互道增益稳定应选电流串联负反馈。放大电路引入直流负反馈后将稳定静态工作点。交流负反馈作用：稳定放大倍数；改变输入电阻和输出电阻；展宽频带；减小非线性失真。已知变压器二次电压为U2sinwtV,负载电阻为RL，则桥式整理