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时间:2020-09-01
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1、SRAM存储基本单元SRAM中的每一bit存储在由4个场效应管(M1,M2,M3,M4)构成两个交叉耦合的反相器中。另外两个场效应管(M5,M6)是存储基本单元到用于读写的位线(BitLine)的控制开关。一个SRAM基本单元有0and1两个电平稳定状态。SRAM基本单元由两个CMOS反相器组成。两个反相器的输入、输出交叉连接,即第一个反相器的输出连接第二个反相器的输入,第二个反相器的输出连接第一个反相器的输入。这就能实现两个反相器的输出状态的锁定、保存,即存储了1个位元的状态。可见如下图分析结果。除了6管的SR
2、AM,其他SRAM还有8管、10管甚至每个位元使用更多的晶体管的实现。[2][3][4]这可用于实现多端口(port)的读写访问,如显存或者寄存器堆的多口SRAM电路的实现。一般说来,每个基本单元用的晶体管数量越少,其占用面积就越小。由于硅芯片(siliconwafer)的生产成本是相对固定的,因此SRAM基本单元的面积越小,在硅芯片上就可以制造更多的位元存储,每位元存储的成本就越低。内存基本单元使用少于6个晶体管是可能的—如3管[5][6]甚至单管,但单管存储单元是DRAM,不是SRAM。访问SRAM时,字线(
3、WordLine)加高电平,使得每个基本单元的两个控制开关用的晶体管M5与M6开通,把基本单元与位线(BitLine)连通。位线用于读或写基本单元的保存的状态。虽然不是必须两条取反的位线,但是这种取反的位线有助于改善噪声容限.与动态存储器(DRAM)相比,SRAM的带宽有很大改进—由于两根位线是反相,这种差分信号使得SRAM的抗噪声干扰能力很强。而DRAM的位线连接到存储电容,受困于电荷共享(chargesharing)使得其位线信号上下波动。另一项差别使得SRAM更快是其地址线各位是同时工作选择出目标存储单元的
4、字线,而DRAM往往为了降低成本,是先送出低半段的地址线的各比特,然后再送出高半段的地址线的各bit,这降低了DRAM封装的地址引脚的数量。有m根地址线与n根数据线的SRAM,其存储容量是2m个字(word),2m×nbit.每个字的长度至少是64bit。
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