PN结的形成过程.doc

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1、在P型半导体中：空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子；在N型半导体中：自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子。P型半导体和N型半导体接触时，在接触面，同一种载流子由于浓度差，P区的多数载流子空穴向N区扩散，同时N区的多数载流子自由电子向P区扩散，这种由于浓度差引起的运动叫做载流子的扩散运动。在接触面，空穴和自由电子就近复合。同时，界面N区一侧附近空穴逐渐增多，正电性逐渐增强；界面P区一侧附近自由电子逐渐增多，负电性逐渐增强。当扩散运动逐渐增强同时，内电场也逐渐增强，内电场方向由N区指向P区，形成电位差。内电场阻止P区多数载流子空穴

2、（带正电）向N区扩散，阻止N区的多数载流子自由电子（带负电）向P区扩散；但，内电场促使P区的少数载流子自由电子向N区移动，N区的少数载流子空穴向P区移动。这种在内电场作用下发生的少数载流子移动的运动叫做漂移运动，扩散运动和漂移运动方向相反，彼此相互影响。当由于浓度差引起的扩散运动和电位差引起的漂移运动的载流子数量相等时，就形成动态平衡这样，PN结就形成了。