PN结的形成及其特性.ppt

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1、PN结的形成及其特性授课人：PN结的形成及其特性主要内容：1.PN结的形成2.PN结的单向导电性教学目的：使大家熟悉PN结的形成过程，掌握PN结的单向导电性。教学方法：课堂讲授教学重点：PN结的单向导电性教学难点：PN结的单向导电性教学手段：传统板书、多媒体课件课堂要求：认真听讲、做好笔记时间分配：20分钟PN结的形成及其特性内容回顾内容回顾P型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的三价元素硼，空穴是多子，电子是少子，主要是靠空穴导电的，因此又叫空穴半导体；N型半导体：在硅（或锗）晶体中掺入微量的五价元素磷，电子是多子，空穴是少子，主要是靠电子导电的，因此又叫电子半导体；一、PN

2、结的形成PN结的形成定义：通过特殊的工艺，使一块半导体一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，在这两种半导体的交界处，就会形成一个具有特殊导电性能的过渡层，这个过渡层就称为PN结。P型半导体N型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－PN结的形成P型半导体N型半导体扩散运动++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－PN结的形成空间电荷区P型半导体N型半导体扩散运动++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－PN

3、结的形成空间电荷区内电场漂移运动P型半导体N型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－PN结的形成空间电荷区内电场漂移运动二、PN结的单向导电性PN结的单向导电性1.PN结正向偏置内电场外电场PN结的单向导电性1.PN结正向偏置PNE+_R－－－－－－－－－－++++++++++正向电流内电场PN结的单向导电性2.PN结反向偏置PNE+_R－－－－－－－－－－++++++++++外电场－－－－－R+++++内电场外电场2.PN结反向偏置PNE+_－－－－－－－－－－+++++++++++++++PN结的单向导电性正偏

4、导通，反偏截止特点：PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。也可以说：PN结正偏时，正向电阻很小，而正向电流较大；PN结反偏时，反向电阻很大，而反向电流很小；伏安特性理论分析：I=Is(eU/UT-1)（Is为反向饱和电流，UT为温度电压当量。在室温下，UT＝26mV）当外加正向电压（U＞0）时，I≈IseU/UT，说明正向电流随正向电压按指数规律变化；当外加正向电压（U＜0）时，I≈-Is，说明反向饱和电流是一般常数，不随外加电压而变动。PN结的单向导电性0.60.70.1pA491.1I(mA)V(v)

5、PN结的伏安特性内容小结内容小结1、PN结的形成2、PN结的单向导电性1.PN结是怎样形成的？2.简要说明PN结的单向导电性。作业题PN结的形成及其特性