Nand Flash结构与读写分析.doc

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1、NandFlash结构与读写分析#1今天在利用ARM7上的nandflash控制器驱动,ID已读取成功,擦写,读取等尚未完成,晚上就在网上查查相关的知识,觉得有一个不错,转贴如下:NANDFlash的数据是以bit的方式保存在memorycell，一般来说，一个cell中只能存储一个bit。这些cell以8个或者16个为单位，连成bitline，形成所谓的byte(x8)/word(x16)，这就是NANDDevice的位宽。这些Line会再组成Page.(NandFlash有多种结构，我使用的NandFlash是K9F1208,下面内容针对三星

2、的K9F1208U0M)，每页528Byte，每32个page形成一个Block，Sizeof(block)=16kByte。1block="16kbyte"，512Mbit=64Mbyte，Numberof(block)=40961block=32page,1page=528byte=512byte(MainArea)+16byte(SpareArea)Nandflash以页为单位读写数据，而以块为单位擦除数据。按照这样的组织方式可以形成所谓的三类地址：--BlockAddress--PageAddress --ColumnAddress对于N

3、ANDFlash来讲，地址和命令只能在I/O[7:0]上传递，数据宽度是8位。512byte需要9bit来表示，对于528byte系列的NAND，这512byte被分成1sthalf和2ndhalf,各自的访问由地址指针命令来选择，A[7:0]就是所谓的columnaddress。32个page需要5bit来表示，占用A[13:9]，即该page在块内的相对地址。Block的地址是由A14以上的bit来表示，例如512Mb的NAND，共4096block，因此，需要12个bit来表示，即A[25:14]，如果是1Gbit的528byte/page

4、的NANDFlash，则blockaddress用A[26:24]表示。而pageaddress就是blcokaddress

5、pageaddressinblockNANDFlash的地址表示为： BlockAddress

6、PageAddressinblock

7、halfpagepointer

8、ColumnAddress地址传送顺序是ColumnAddress,PageAddress,BlockAddress。由于地址只能在I/O[7:0]上传递，因此，必须采用移位的方式进行。例如，对于512Mbitx8的NANDflash，地址范围是0~0x3FF

9、_FFFF，只要是这个范围内的数值表示的地址都是有效的。以NAND_ADDR为例：第1步是传递columnaddress，就是NAND_ADDR[7:0]，不需移位即可传递到I/O[7:0]上，而halfpagepointer即bit8是由操作指令决定的，即指令决定在哪个halfpage上进行读写。而真正的bit8的值是don'tcare的。第2步就是将NAND_ADDR右移9位，将NAND_ADDR[16:9]传到I/O[7:0]上第3步将NAND_ADDR[24:17]放到I/O上第4步需要将NAND_ADDR[25]放到I/O上因此，整个地

10、址传递过程需要4步才能完成，即4-stepaddressing。如果NANDFlash的容量是256Mbit以下，那么，blockadress最高位只到bit24，因此寻址只需要3步。下面，就x16的NANDflash器件稍微进行一下说明。由于一个page的mainarea的容量为256word，仍相当于512byte。但是，这个时候没有所谓的1sthalfpage和2ndhalfpage之分了，所以，bit8就变得没有意义了，也就是这个时候bit8完全不用管，地址传递仍然和x8器件相同。除了，这一点之外，x16的NAND使用方法和x8的使用方法

11、完全相同。 正如硬盘的盘片被分为磁道，每个磁道又分为若干扇区，一块nandflash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同，典型的分配是这样的：1block=32page1page=512bytes(datafield)+16bytes(oob)