NAND FLASH原理与实验

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1、NANDFLASH原理与实验 2012-10-1712:32:02分类：原文地址：NANDFLASH原理与实验 作者：wangh0802  常用的FLASH主要有NORFLASH和NANDFLASH两种：    NANDFLASH不能执行代码，主要用于存储大量数据；具有极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和檫除速度也很快；应用困难在于FLASH的管理需要特殊的系统接口。    NORFLASH中的数据掉电不会丢失，而且可以执行程序，常用于存储系统的启动代码；特点是芯片内执行（XIP）,应用程序可以直接在NORFLASH内运行，不需要

2、再把代码读到系统RAM中。很低的写入和檫除速度大大影响了它的性能。    为什么NANDFLASH无法执行程序呢？这主要是由于NANDFLASH的接口主要包括几个I/O口，对其中数据的访问是穿行的访问，无法实现随机访问，因此NANDFLASH无法执行程序。    因为NANDFLASH接口电路是通过NANDFLASH控制器与S3C2440处理器相接的，因为读者不需要关心具体的访问时序，之所以提供NANDFLASH控制器就是为了便于使用NANDFLASH。如果没有NANDFLASH控制器，则需要产生相应的访问时序。   NANDFLASH的存

3、储器组成主要有两部分：页（Page）、块(BIock)。以K9F2G08U0B为例：   每页大小为：2K64字节，2K字节用来存储数据，64字节主要用来存储控制信息，主要是为了便于管理每一页。    每块大小为：64个页；整个NANDFLASH由2K（2048）个块组成（128KPages）。   从数据输出可以看到K9F2G08U0B的容量是256MBytes*8Bit,怎么算出来的呢？   NANDFLASH容量=块的数目*每块的容量                 =块的数目*（每块包含页的数目*每页的容量）            

4、     =2K块*（64页*（2KBytes64Bytes））                 =2K块*64页*2KBytes2K块*64页*64Bytes                 =256MBytes8MBytes（256MBytes表示该NANDFLASH可以存储256M个字节数据，后面的8M字节的数据主要用于保存每一页的控制信息）  1K(Bytes)=1024字节，1M(Bytes)=1K(Bytes)*1K(Bytes)；NANDFLASH接口电路：   S3C2440处理器内部已经集成了NANDFLASH控制器，因此

5、，接口电路将变得很简单，只需要将S3C2440处理器对应引脚和NANDFLASH的对应引脚接上即可。   但是不同的NANDFLASH的容量不一样，接口线宽不一样，S3C2440处理器如何获得这些信息呢？先对NANDFLASH控制器的作用进行简单的总结：   1.提供外接NANDFLASH的接口信息，包括接口线宽、容量等信息。   2.提供访问NANDFLASH所需要的时序信息。   S3C2440处理器提供了如下方法来识别NANDFLASH接口线宽和容量，OM[1:0]、NCON、GPG13、GPG14和GPG15共5个信号来选择NAND

6、FLASH启动。   OM[1:0]：当两个引脚均为低电平是，从NANDFLASH启动。   NCON：NANDFLASH的类型选择信号。0、正常型NANDFLASH;1、高级型NANDFLASH；   GPG13：NANDFLASH页容量选择信号。0、256Word(NCON=0)或1KWords(NCON=1);                                    1、512Bytes(NCON=0)或2KBytes(NCON=1);   GPG14:NANDFLASH地址周期选择。0、3地址周期(NCON=0)或4地

7、址周期(NCON=1)。                                 1、4地址周期(NCON=0)或5地址周期(NCON=1)。   GPG15：NANDFLASH接口线宽选择。0、8位总线宽度。1、16位总线宽度。如何访问NANDFLASH？  发送命令，即对NANDFLASH采取哪种操作，读，写还是擦除；  发送地址，即对NANDFLASH的哪一页进行上述操作；  发送数据，在此期间要检测NANDFLASH的内部状态。NANDFLASH内部的地址如何确定呢？从对应数据手册上可以找到有关地址序列的信息：  所谓的列地

8、址即在一页中的地址，因为每页大小是2K64Bytes,所以需要12根地址线来寻址，也即A0~A11，整个NANDFLASH包含128K个页面，则需要17跟地址线来寻址一个页面，即