元器件老化条件速查表.doc

元器件老化条件速查表.doc

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1、序号元器件型号老化项目老化时间老化板型号老化系统设定参数测试参数及限值1G15N60RUFD栅偏24h电压上限,80%VGES=16V;电流上限,1uA;温度设定125℃阀值电压:5.0-8.5V击穿电压:>600V击穿曲线符合要求(电流上限,IG=100nA@25℃,ICES=250uA@25℃)反偏24h电压上限,80%VCES=480V;电流上限,1mA;温度设定125℃稳态功率48h调节水压及流量,壳温控制75℃;IC=0.3*ICM=4.5A,RE=5/3Ω;VC=VCE+IC*RE=29.15V2IRG4PC30F栅偏24h电压上限,80%VGES=16V;电流上限,1uA

2、;温度设定125℃阀值电压:3.0-6.0V击穿电压:>600V击穿曲线符合要求(电流上限,IG=100nA@25℃,ICES=1000uA@150℃))反偏24h电压上限,80%VCES=480V;电流上限,1mA;温度设定125℃稳态功率48h调节水压及流量,壳温控制75℃;IC=0.3*ICM=6.6A;VC=VCE+IC*RE=29.15V3IRF540N栅偏24h电压上限,80%VGSS=16V;电流上限,1uA;温度设定125℃阀值电压:2.0-4.0V击穿电压:>100V击穿曲线符合要求跨导:gfs>21,测试时VDS=50V,ID=16A。(电流上限,IG=100nA@

3、25℃,IDSS=1000uA@150℃)反偏24h电压上限,80%VDSS=80V;电流上限,250uA;温度设定125℃稳态功率48h调节水压及流量,壳温控制75℃;IC=0.3*ICM=8.1A,RE=5/4Ω;VC=VCE+IC*RE=20.8V4IRFP250N栅偏24h电压上限,80%VGSS=16V;电流上限,IG=1uA;温度设定125℃阀值电压:2.0-4.0V击穿电压:>200V击穿曲线符合要求跨导:gfs>17,测试时VDS=50V,ID=18A。(电流上限,IG=100nA@25℃,IDSS=250uA@150℃)反偏24h电压上限,80%VDSS=160V;电

4、流上限,ID=250uA;温度设定125℃稳态功率48h调节水压及流量,壳温控制75℃;IC=0.3*ICM=7.2A,RE=5/4Ω;VC=VCE+IC*RE=29V5IRFP460栅偏24h电压上限,80%VGSS=16V;电流上限,1uA;温度设定125℃阀值电压:2.0-4.0V击穿电压:>500V击穿曲线符合要求跨导:gfs>13,测试时VDS=50V,ID=12A。(电流上限,IG=100nA@25℃,IDSS=250uA@125℃)反偏24h电压上限,80%VDSS=400V;电流上限,250uA;温度设定125℃稳态功率48h调节水压及流量,壳温控制75℃;IC=0.4

5、*ICM=6A,RE=5/3Ω;VC=VCE+IC*RE=38.33V元器件老化筛选条件速查表(一)元器件老化筛选条件速查表(二)序号元器件型号老化项目老化时间老化板型号老化系统设定参数测试参数及限值6A1015栅偏24h电压上限,80%VGSS=16V;电流上限,1uA;温度设定125℃C-E击穿电压>50VC-B击穿电压>50V击穿曲线符合要求ICM:150mA直流增益(hFE)>70(电流上限,ICBO=100nA@25℃)反偏24h电压上限,80%VDSS=80V;电流上限,250uA;温度设定125℃稳态功率48h环境温度控制在常温25℃;PCM=400mW,Vce=0.75

6、Vceo=37.5VIC=10.67mA,VC=37.5+10.67mA(Re+Rc)=7BD238反偏24h电压上限,80%VCBO=80V;电流上限,1mA;温度设定125℃C-E击穿电压>80VC-B击穿电压>100V击穿曲线符合要求ICM:2A直流增益(hFE)>40(电流上限,ICBO=100nA@25℃,ICEO=250uA@125℃)反偏24h电压上限,80%VCES=64V;电流上限,2mA;温度设定125℃稳态功率48h环境温度控制在常温25℃;PCM=25W,Vce=0.5Vceo=50VIC=500mA,VC=48+500mA*(Re+Rc)=8BD140反偏24

7、h电压上限,80%VCBO=80V;电流上限,10uA;温度设定125℃C-E击穿电压>80VC-B击穿电压>100V击穿曲线符合要求ICM:1.5A直流增益(hFE)>40(电流上限,ICBO=10uA@25℃)反偏24h电压上限,80%VCEO=64V;电流上限,βICBO≈1mA;温度设定125℃稳态功率48h环境温度控制在常温25℃;PCM=8W,Vce=0.6Vceo=48VIC=16.67mA,VC=48+16.67mA*(Re+R

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