晶体三极管输入和输出特性课件.ppt

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1、2.1晶体三极管输入和输出特性2.1.4三极管的输入和输出特性2.1.5三极管主要参数2.1.6三极管的简单测试1.5.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB实验线路下一页上一页首页一、输入特性UCE1VIB(A)UBE(V)204060800.40.8工作压降：硅管UBE0.6~0.7V,锗管UBE0.2~0.3V。UCE=0VUCE=0.5V死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。1.5下一页上一页首页3、三极管共射组态的输入特性曲线BJT的输入特性曲线为一组曲线ib(μA)uBEU（BR）EBOI

2、CBO＋ICEOUCE=0UCE=1UCE=10iB(μA)uBEUCE=0UCE=1UCE=102.1.4三极管的输入和输出特性集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。一、共发射极输入特性曲线动画三极管的输入特性5．VBE与IB成非线性关系。由图可见：1．当VCE≥2V时，特性曲线基本重合。2．当VBE很小时，IB等于零，三极管处于截止状态；3．当VBE大于门槛电压（硅管约0.5V，锗管约0.2V）时，IB逐渐增大，三极管开始导通。4．三极管导通后，VBE基本不　变。硅管约为0.7V，锗

3、管　约为0.3V，称为三极管的导　通电压。图2.1.9共发射极输入特性曲线1.5.3特性曲线ICmAAVVUCEUBERBIBECEB实验线路下一页上一页首页IC(mA)1234UCE(V)36912IB=020A40A60A80A100A饱和区1.5截止区放大区有三个区：下一页上一页首页三、三极管特性曲线（讲授40分钟）iB=iB2iB=iB3饱和区击穿区截止区临界饱和线uCEiCU（BR）CEOiB=-ICBOiB=iB1iB=iB4iB=iB5ib(μA)uBEU（BR）EBOICBO＋ICEOUCE=0U

4、CE=1UCE=10iB=-ICBO2、三极管共射组态的输出特性曲线：饱和区U（BR）CEO击穿区截止区临界饱和线uCEiCiB=iB5iB=iB4iB=iB3iB=iB2iB=iB1iB=-ICBOU（BR）CEO击穿区截止区uCEiCiB=iB5临界饱和线饱和区iB=iB1iB=iB2iB=iB3iB=iB4iC1iC2iC3iC4在放大区，iC随着iB按β倍成比例变化，晶体管具有电流放大作用。对输入信号进行放大就要使三极管工作在放大区。放大区的特点是：发射结正偏，集电结反偏，iC＝βiB。ECICBOiB=-ICBOU

5、（BR）CEO击穿区截止区uCEiCiB=iB5iB=iB4iB=iB3iB=iB2iB=iB1IB=0的曲线以下的区域称为截止区。IB=0时,IC=ICEO(很小)。对NPN型硅管，当UBE<0.5V时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使UBE0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC<0)，此时,IC0，UCEUCC。iB=-ICBOU（BR）CEO击穿区截止区uCEiCiB=iB5iB=iB4iB=iB3iB=iB2iB=iB1临界饱和线饱和区(3)饱和区当UCE0)，

6、晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IC和IB不成正比。此时，发射结也处于正向偏置，UCE0，ICUCC/RC。当uCE较小时，曲线陡峭，这部分称为饱和区。在饱和区，iB增加时iC变化不大，不同iB下的几条曲线几乎重合，表明iB对iC失去控制，呈现“饱和”现象。饱和区的特点是：发射结和集电结都正偏，三极管没有放大作用。在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。输出特性曲线可分为三个工作区:1.截止区条件：发射结反偏或两端电压为零。特点：。2.饱和区条件：发射结和集电结均为正偏。特点：。称为

7、饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。3.放大区条件：发射结正偏，集电结反偏特点：IC受IB控制，即。第二章晶体三极管输出特性曲线饱和区UCE/VIB=40A30A20A10A0输出特性曲线可划分四个区域：返回特性曲线条件：特点：放大区条件：特点：截止区条件：特点：发射结正偏，集电结正偏IC受UCE影响，不受IB控制，UCE略增，IC显著增加。发射结正偏，集电结反偏IC受IB控制，不受VCE控制。发射结反偏，集电结反偏IC0，IB0。击穿区：0反向击穿电压U(BR)CEOIC/mA饱和区、放大区、截

8、止区、击穿区。U(BR)CEO结合讲三极管的放大原理安全工作区：第二章晶体三极管IC/mAVCE/V0IB=40A30A20A10A0特点：条件：发射结正偏，集电结正偏。IC不受IB控制，而受VCE影响。VCE略增，IC显著增加。返回特性曲线饱和区（VBE0.7V，VCE<0.3