极管输入输出特性曲线的测试.ppt

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1、4.13、三极管输入、输出特性曲线的测试国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心现代电子技术实验预习情况检查1.半导体管特性图示仪的基本原理与应用。2．晶体三极管的伏安特性曲线的特点及其主要参数定义。现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心一.实验目的现代电子技术实验国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心2.掌握晶体管输入输出特性的图测方法。3.掌握用晶体管特性曲线球参数的方法。进一步熟悉晶体管图示仪的面板旋钮。二、实验原理1.共射输入特性曲线以输出口电压vCE为参变量，反映iB和vBE的函数关系。vBEiB

2、ovONvBEIB1IB2VCE=1VVCE=10V2.共射输出特性曲线以输入口电流iB为参变量，反映输出口iC与vCE的函数关系曲线。OiCuCEiB1iB5iB4iB3iB23.三极管输出特性测试电路测试台部分Y轴作用部分X轴作用部分阶梯信号部分集电极扫描信号部分图示仪面板主要包括晶体管输出特性的动态测量半导体特性图示仪操作面板测试台集电极电源阶梯电源X轴Y轴1．晶体管输出特性的测量（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。（2）在曲线上标出饱和区、截止区和放大区。（3）测量反向击穿电压BVCEO（基极开路，功耗电阻取5kΩ）（4）测量、。设VC

3、E=5V，适当选择和记录IBQecb1008：NPN型三、实验内容iCIC△ICVCE=5V2．晶体管输入特性的测量（1）正确设置图示仪有关控制旋钮，测绘晶体管输入特性曲线。（2）求出导通电压Von。（3）根据曲线求线性变化区的输入电阻：设置功耗电阻为250Ω～1kΩiBvBEoVONΔVBEΔIB3．场效应管输出特性的测量（选做）（1）调节图示仪有关控制旋钮，测绘输出特性曲线。（2）在曲线上标出可变电阻区、饱和区和击穿区。（3）测量击穿电压BVDS（功耗电阻5K左右)（4）测量跨导gm。设VDS=10V，选择适当IDSS，计算四、实验报告要求1.写出所测

4、参数的定义及其物理意义。2.用坐标纸定量描绘特性曲线，正确标明相应坐标。国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心五、下次预习要求（P147实验4.14）国家工科电工电子基础教学基地国家级实验教学示范中心