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时间:2020-08-10
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1、第四章平衡半导体(1)0高等半导体物理与器件第四章平衡半导体(1)前章概要……内层允带都为满带导带:基本无电子占据价带:价电子占满导带之上仍有很多允带,但都为空带允带允带允带禁带禁带允带禁带……(1)半导体材料能带图1第四章平衡半导体(1)第四章平衡半导体(1)2(2)状态密度gc(E)、gv(E)k坐标下的量子态密度gT(k):k坐标下单位体积的量子态数目k坐标下的量子态数Z(k)=V1*gT(k),V1(k坐标下的体积)→对k坐标求导数dZ(k)E(k)~kdZ(E)状态密度g(E)=dZ(E)/(V2*
2、dE),V2(直角坐标系下的体积)第四章平衡半导体(1)3本章主要内容半导体中的载流子掺杂原子与能级非本征半导体施主和受主的统计学分布电中性状态费米能级的位置小结第四章平衡半导体(1)4平衡状态(热平衡状态)是指没有外界影响(如电压、电场、磁场或者温度梯度等)作用于半导体上的状态。理想的本征半导体是晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体。掺杂改变半导体的电学特性。费米能级是杂质原子类型和浓度的函数。第四章平衡半导体(1)54.1半导体中的载流子载流子:在半导体内可以运动形成电流的电子或空穴。载流子定向运动形成电
3、流;半导体两种载流子:导带电子和价带空穴;半导体中电流大小取决于:载流子浓度,载流子运动速度(定向的平均速度);载流子浓度推导计算用到状态密度和分布函数。第四章平衡半导体(1)6理想的本征半导体:晶体中不含杂质和晶格缺陷的纯净半导体,其费米能级位于禁带中心附近。费米能级的位置需保证电子和空穴浓度的相等。若电子和空穴的有效质量相同,状态函数关于禁带对称。普通半导体(Si),Eg>>kT,导带电子和价带空穴的分布可用玻尔兹曼近似代替。fF(E)=1/2gv(E)[1-fF(E)]=p(E)gc(E)fF(E)=n
4、(E)面积=p0(空穴浓度)面积=n0(电子浓度)第四章平衡半导体(1)7(1)导带电子和价带空穴的浓度n0和p0根据状态密度和分布函数,得到导带中某一能量值的电子浓度:则整个导带范围内单位体积的总电子浓度对应于该能量的导带电子状态密度对应于该能量的占据几率第四章平衡半导体(1)8空穴浓度价带中某一能量值的空穴浓度:则整个价带范围内单位体积的总空穴浓度:对应于该能量的价带空穴状态密度对应于该能量的空位几率第四章平衡半导体(1)9将前一章状态密度和分布函数代入上公式状态密度函数玻尔兹曼近似费米分布函数第四章平衡
5、半导体(1)10导带电子浓度可化简为:为方便计算,变量代换:积分项被称为伽马函数第四章平衡半导体(1)11因而:其中,Nc为导带的有效状态密度(数量级一般在1019cm-3),且第四章平衡半导体(1)12同理可得空穴浓度:其中,Nv为价带的有效状态密度(数量级一般在1019cm-3)。第四章平衡半导体(1)13影响n0和p0的因素mn*和mp*的影响—材料的影响温度的影响Nc、Nv~Tf(Ec)、f(Ev)~TT↑,Nc、Nv↑T↑,几率↑第四章平衡半导体(1)14EF位置的影响EF→Ec,Ec-EF↓,n0
6、↑—EF越高,电子(导带)的填充水平(几率)越高;EF→Ev,EF-Ev↓,p0↑—EF越低,电子(价带)的填充水平越低(空位几率越高)。第四章平衡半导体(1)15(2)本征载流子浓度本征半导体:不含有杂质原子的半导体材料。本征半导体中,载流子主要来源于本征激发。本征半导体中,导带电子浓度ni等于价带空穴浓度pi,称为本征载流子浓度(ni)。本征半导体的费米能级:本征费米能级EFi。本征半导体,电中性条件:n0=p0第四章平衡半导体(1)16当温度一定时,n0、p0之积与EF无关;这表明:导带电子浓度与价带空
7、穴浓度是相互制约的,这是动态热平衡的一个反映。本征半导体:n0=p0=ni(ni本征载流子浓度)本征载流子浓度只和温度、禁带宽度Eg有关第四章平衡半导体(1)17本征载流子浓度和温度的关系T↑,ni↑第四章平衡半导体(1)18(3)本征费米能级位置由本征半导体的电中性条件:n0=p0当空穴有效质量大时,相对应价带有效状态密度大,因而费米能级向导带偏移以保证导带电子与价带空穴相等。相反亦然:由于kT是个很小的能量值(常温下),对于常见半导体(Si、Ge、GaAs),其禁带能量远大于kT,因此费米能级相对于禁带中
8、央的偏移总是很小(几十meV)。第四章平衡半导体(1)19Eg(Si):1.12eV50meV第四章平衡半导体(1)204.2掺杂原子与能级(1)定性描述半导体的导电性强烈地随掺杂而变化。硅中的施主杂质与受主杂质第四章平衡半导体(1)21(2)电离能ΔEd=Ec–EdΔEa=Ea–Ev采用玻尔的原子模型近似计算电离能。左表表明施主杂质在硅和锗中电离能大约为几十meV。EcEvEdEcEvEa施主杂质
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