模拟电路总结复习.pdf

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1、第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅、锗)。2.特性光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体纯净的具有单晶体结构的半导体。4.两种载流子带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。*N型半导体:在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。6.杂质半导体的特性*载流子的浓度多子浓度决定于杂质浓度

2、，少子浓度与温度有关。*体电阻通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7.结*结的接触电位差硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。/25*结的单向导电性正偏导通，反偏截止。8.结的伏安特性二.半导体二极管*单向导电性正向导通，反向截止。*二极管伏安特性同ＰＮ结。*正向导通压降硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。*死区电压硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V>V(正偏)，二极

3、管导通(短路);阳阴若VV阴(正偏)，二极管导通(短路);若V阳

4、区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。二.三极管的工作原理1.三极管的三种基本组态2.三极管内各极电流的分配*共发射极电流放大系数(表明三极管是电流控制器件式子称为穿透电流。3.共射电路的特性曲线*输入特性曲线同二极管。*输出特性曲线(饱和管压降，用表示/25放大区发射结正偏，集电结反偏。截止区发射结反偏，集电结反偏。4.温度影响温度升高，输入特性曲线向左移动。温度升高、、以及β均增加。三.低频小信号等效模型（简化）输出端交流短路时的输入电阻，常

5、用表示；输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示；四.基本放大电路组成及其原则1.、、、、C、C的作用。122.组成原则能放大、不失真、能传输。五.放大电路的图解分析法1.直流通路与静态分析*概念直流电流通的回路。*画法电容视为开路。*作用确定静态工作点*直流负载线由确定的直线。*电路参数对静态工作点的影响/251）改变：Q点将沿直流负载线上下移动。2）改变：Q点在所在的那条输出特性曲线上移动。3）改变：直流负载线平移，Q点发生移动。2.交流通路与动态分析*概念交流电流流通的回路*画法电容视为短路,理想直流

6、电压源视为短路。*作用分析信号被放大的过程。*交流负载线连接Q点和V’点V’=’的L直线。3.静态工作点与非线性失真（1）截止失真*产生原因点设置过低*失真现象管削顶，管削底。*消除方法减小，提高Q。（2）饱和失真/25*产生原因点设置过高*失真现象管削底，管削顶。*消除方法增大、减小、增大。4.放大器的动态范围（1）是指放大器最大不失真输出电压的峰峰值。（2）范围*当（－）＞（’－）时，受截止失真限制，22’。*当（－）＜（’－）时，受饱和失真限制，22（－）。*当（－）＝（’－），放大器将有最大的不失真输出

7、电压。六.放大电路的等效电路法静态分析1.（1）静态工作点的近似估算（2）Q点在放大区的条件欲使Q点不进入饱和区，应满足＞β。放大电路的动态分析2./25*放大倍数*输入电阻*输出电阻分压式稳定工作点共射七.放大电路的等效电路法1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数/25在两端并一电解电容后输入电阻在两端并一电解电容后*输出电阻八.共集电极基本放大电路1．静态分析2．动态分析*电压放大倍数*输入电阻*输出电阻/253.电路特点*电压放大倍数为正，且略小于1，称为射极跟随器，简称射随器。*输入电阻高，输出电阻低。

8、第四章多级放大电路级间耦合方式一.1.阻容耦合各级静态工作点彼此独立；能有效地传输交流信号；体积小，成本低。但不便于集成，低频特性差。2.变压器耦合各级静态工作点彼此独立，可以实现阻抗变换。体积大，成本高，无法采用集成工艺；不利于传输低频和高频信号。3.直接耦合低频特性好，便于集成。各级静态工作点不独立，互相有影响。存在“零点漂移”现象。*零点漂移当温度变化或电源电压改变时，静态工作点