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时间:2020-07-30
《东南大学信息学院模电答案作业题_第四章.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、作业第四章4-14-6:略(方法:先画直流通路,再根据饱和模式下IDQ和VGSQ之间的关系解方程,得到IDQ)4-7直流通路:隔直流电容和旁路电容开路,电感短路。交流通路:隔直流电容和旁路电容短路,扼流圈等大电感开路,独立的直流电压源短路,独立的直流电流源开路。直流通路交流通路4-8共源放大电路如图P4-8所示。已知场效应管的gm=1mS,rds=200k。试:(1)画出小信号等效电路;(2)求Av,Ri,Ro。电路图小信号等效电路解:(1)见右下图(2)忽略rds,则4-11共发放大器如图P4-11所示,试画出直流、交流通路、小信号
2、等效电路。图中各电容对信号频率呈短路。已知晶体三极管β=200,VBE(on)=0.7V,
3、VA
4、=150V,试求输入电阻Ri,输出电阻Ro,电流增益Ai,电压增益Av,源电压增益Avs,最大电压增益极限值Avtmax。解:4-14在共基放大电路的基极上接入电阻RB,其交流通路如图P4-14所示。试画出小信号等效电路,若rce忽略不计,试写出输入电阻Ri、输出电阻Ro、电流增益Ai和源电压增益Avs表达式。解:4-19图P4-19所示为有源负载共发放大器原理电路,试导出输出电阻Ro的表达式。图中CE对交流呈短路。解:电路图交流通路4-2
5、0图P4-20所示为单级MOS放大电路,已知各管参数:gm1=600S,gm2=200S,rds1=rds2=1M,,(W/l)1=200/20。(1)指出各电路名称,画出小信号等效电路;(2)计算Av=vo/vi,和(W/l)2值。解:(b)电路图交流通路小信号等效电路解:(d)4-20电路图交流通路小信号等效电路4-28图P4-28所示为共集-共发放大器,已知晶体管β1=β2=150,VBE(on)=0.7V,rce忽略不计,ICQ1=1mA,ICQ2=1.5mA,,试求Ri、Av、Avs。解:4-30解:图P4-30所示为共
6、发-共基组合放大器,试画出直流通路和交流通路,已知晶体三极管β1=β2=100,VBE(on)1=VBE(on)2=0.7V,VB2=5V,各电容对交流呈短路,试求VCEQ1,VCEQ2,Av,Avs。电路图交流通路4-33解:在图P4-33所示的差分放大器中,已知场效应管的μnCoxW/2l=1mA/V2,VGS(th)=-1V,若电容CD对交流呈短路,vi=10mV,试求ISS,Avd2,Avc2,KCMR,vo值。4-36解:图P4-36所示为E/DMOS差分放大电路,试导出双端输出的差模电压增益Av=vo/vi表达式。设各管衬底
7、与地相连,沟道长度调制效应忽略不计。差模交流通路(半电路)小信号等效电路(半电路)4-38解:在图P4-38所示电路中,已知=100,,RL=10k,rce可忽略。试画出差模、共模交流通路,并求:(1)差模输入电阻Rid,差模输出电阻Rod,差模电压增益Avd;(2)共模输入电阻Ric,共模输出电阻Roc,共模电压增益Avc;(3)共模抑制比KCMR。差模交流通路(半电路)共模交流通路(半电路)(1):差模性能(双端输出)(2):共模性能(单端输出)(3):共模抑制比4-47解:比例式电流源电路如图P4-47所示,已知各晶体管特性一
8、致,VBE(on)=0.7V,=100,
9、VA
10、=120V,试求IC1、IC3和T3侧的输出交流电阻Ro3。4-55解:(1)图P4-55所示电路中,各双极性晶体管的参数均为β=100,
11、VA
12、=100,
13、VBE(on)
14、=0.7V,rbb'=0,场效应管参数也都相同,VGS(th)=2V,试求:(1)T1、T2管的静态工作点电流;(2)放大器的差模输入电阻Rid、输出电阻Rod,差模电压增益Avd(图中Cc为隔直流电容)。(2)4-72解:在图P4-70所示电路中,已知管子参数为,场效应管:VGS(th)=1V,,晶体管的,=10
15、0,VBE(on)=0.6V,试求差模电压增益Av=vo/vi。已知一无零三极系统的中频电压增益AvI=105,三个极点角频率p均为106rad/s。(1)试写出该系统的传递函数Av(s),并画出该传递函数的渐近波特图;(2)分别计算=106rad/s、=107rad/s的实际增益和相位值;(3)计算上限频率H。4-75解:(1)(2)(3)
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