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时间：2020-07-26
《金属氧化物半导体场效应晶体管概念的深入课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第12章金属-氧化物-半导体场效应晶体管： 概念的深入12.1非理想效应12.1.1亚域值电导12.1.2沟道长度调制效应12.1.3迁移率变化12.1.4速度饱和12.1.4弹道输运长沟器件：短沟器件：弹道输运，统计规律不再适用高速器件12.2MOSFET按比例缩小理论12.2.1恒定电场按比例缩小器件和电路参数比例因子比例参数器件尺寸k掺杂浓度1/k电压k器件参数效应电场1载流子速度1耗尽区宽度k电容k漂移电流k电路参数效应器件密度1/k²功耗密度1器件功耗k²电路延时k功率延时k³12.2.2阈值电压---一级近似12.2.3全部按比例缩小理论12.3阈值电压的修
2、正12.3.1短沟道效应12.3.2窄沟道效应12.4附加电学特性12.4.1击穿电压栅氧化层击穿沟道雪崩击穿寄生晶体管击穿源漏穿通效应12.4.3通过离子注入进行阈值调整离子注入工艺：被注入的杂质原子首先被离化，通过电场加速获得高能量(25-200keV)。离子的穿透深度通常小于1um，离子注入时，晶体严重损伤，必须用退火工艺修复损伤。低剂量：调节器件特性高剂量：形成欧姆接触12.4.3通过离子注入进行阈值调整最大空间电荷宽度：E12.712.37
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