模拟电子技术第17讲课件.ppt

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1、上讲回顾1.JFET的结构和工作原理2JFET的特性曲线及参数(1).N沟道JFET的结构(2).N沟道JFET的工作原理(1).输出特性曲线(2).转移特性曲线(3).主要参数11.JFET的小信号模型由JFET输出特性表达式：求全微分:漏极与源极间等效电阻,是输出特性曲线静态工作点处的斜率的倒数。其中：低频跨导,是转移特性曲线静态工作点处的斜率的倒数。变化量gdsvGSvdSiDgsgmvgsvgs+-rds+-vdsidd一般rds很大，可忽略，得简化小信号模型:5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法5.3结型场效应管JFET2(1).自偏压电路静态分析：因IG=0

2、,故VGS=-VS=-IDRID由自身形成栅源反偏电压5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法5.3结型场效应管JFET2.用小信号模型分析JFET放大电路3交流通路：动态分析：5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法5.3结型场效应管JFET2.用小信号模型分析JFET放大电路(1).自偏压电路45.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法5.3结型场效应管JFET2.用小信号模型分析JFET放大电路(1).自偏压电路动态分析：RgRdRsCsC1C2RLviv0vGiDvS+_gmvgsidgsdviv0+_vgsRgRdRLRL`55.3.3JFET放大电路的小信

3、号模型分析法5.3结型场效应管JFET2.用小信号模型分析JFET放大电路(1).自偏压电路动态分析：+_gmvgsidgsdviv0+_vgsRgRdRLRL`①电压放大倍数②输入电阻③输出电阻6(2).分压式自偏压电路静态分析IDVgVG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VGS=VG－VS=VG－IDRID=IDSS[1－(VGS/VP)]2VDS=VDD－ID(R+Rd)预使NJFET工作于放大区，需满足：5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFET放大电路7例.设Rg3=10MΩ,Rg1=2MΩ,Rg2=47KΩ,R

4、d=30KΩ，R=2KΩ,VP=-1V，IDSS=0.5mA，确定Q点。解.假若JFET工作于放大区，则解得：因IG=0，所以8交流分析+gsd(2).分压式自偏压电路5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFET放大电路9交流分析+gsd(2).分压式自偏压电路5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFET放大电路vsvgsgmvgsv0+-RL`vi10(2).分压式自偏压电路5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFE

5、T放大电路vsvgsgmvgsv0+-RL`vi①电压放大倍数②输入电阻③输出电阻11直流分析VG=VDDRg2/(Rg1+Rg2)VGS=VG－VS=VG－IDRID=IDSS[1－(VGS/VP)]2VDS=VDD－IDR由此可以解出VGS、ID和VDS。(3).共漏极放大电路5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFET放大电路12交流分析+vivgsv0①.电压放大倍数gmvgsvsvi(3).共漏极放大电路5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFET放大电路13交

6、流分析+vivgsv0①.电压放大倍数gmvgsvsvi(3).共漏极放大电路5.3结型场效应管JFET5.3.3JFET放大电路的小信号模型分析法2.用小信号模型分析JFET放大电路③.输出电阻②.输入电阻145.4砷化镓金属－半导体FET（自学）155.5各种放大器件电路性能比较5.5.1各种FET的特性及使用注意事项1.各种FET的特性比较165.5各种放大器件电路性能比较5.5.1各种FET的特性及使用注意事项2.使用注意事项(1)衬底的处理；(2)漏、源极可以互换；(3)栅极的保护；(4)焊接时；17本讲小结JFET放大电路的小信号模型分析法(1).自偏压电路(2).

7、分压式自偏压电路(3).共漏极放大电路18作业题P2495.3.35.3.55.3.619