欢迎来到天天文库
浏览记录
ID:57014749
大小:921.00 KB
页数:72页
时间:2020-07-26
《存储器系统课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、存储器概述半导体存储器存储器与CPU的连接存储器的工作原理本章内容了解存储器的工作原理和外部特性掌握微机中存储系统的结构学会利用现有的存储器芯片构成所需内存系统。学习目的5.1存储器概述存储器是计算机系统中具有记忆功能的部件,它是由大量的记忆单元(或称基本的存储电路)组成的,用来存放用二进制数表示的程序和数据。记忆单元是一种能表示二进制“0”和“1”的状态并具有记忆功能的物理器件,如电容、双稳态电路等。一个记忆单元能够存储二进制的一位。由若干记忆单元组成一个存储单元、一个存储单元能存储一个字,字有4位、8位、16位等称之字长,字长为8时,称一个字节。存储器操
2、作:读操作,非破坏性。写操作,破坏性。存储器的职能:信息交换中心。数据仓库。一、存储器分类1.内存储器(内存或主存)功能:存储当前运行所需的程序和数据。特点:CPU可以直接访问并与其交换信息,容量小,存取速度快。2.外存储器(外存)功能:存储当前不参加运行的程序和数据。特点:CPU不能直接访问,配备专门设备才能进行交换信息,容量大,存取速度慢。目前,存储器使用的存储介质有半导体器件,磁性材料,光盘等。一般把半导体存储器芯片作为内存。我们只讨论半导体存储器。半导体存储器静态随机SRAM动态随机DRAM一次性编程PROM可擦除EPROM紫外光擦除UREPROM
3、电擦除EEPROM读写存储器RAM只读存储器ROM双极型MOS掩膜ROM可编程ROM半导体存储器分类二、存储器芯片的主要技术指标1.存储容量存储容量=存储单元个数×每个存储单元的位数2.存取时间和存取周期存取时间又称存储器访问时间。指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间tA。存取周期是连续启动两次独立的存储器操作所需间隔的最小时间TC,一般TC≥tA。3.可靠性可靠性指存储器对电磁场及温度等变化的抗干扰能力。4.其他指标体积、重量、功耗(包括维持功耗和操作功耗)。三、半导体存储器的基本结构半导体存储器结构图地址信号时序/控制地址寄存器MAR地址译码器存储体M读
4、写驱动器数据寄存器MDR数据信号控制信号……四、存储单元的寻址存储器是存储单元的集合,为了区分存储器的不同存储单元,给存储单元编号即存储器的地址。采用地址译码来实现对存储单元的寻址。常用的地址译码:1.单译码方式它是一个“N中取1”的译码器,用于小容量的存储器。Ap-1Ap-2A1A0N取1译码器基本存储电路p个输入M位位线D0D1DM-1N根字线N=2p个地址W0W1…………选中的字线输出M位Wn-1输出缓冲放大器单译码结构示意图2.双译码方式它采用两级译码,类似于矩阵结构,用于大容量的存储器如:A0A1A2A3A4X0X31...W0,0W
5、31,0W0,31W31,31Y0Y31基本存储电路R/W控制Y(列)地址译码及I/O控制数据输入数据输出A5A6A7A8A9…X(行)地址译码器双译码结构示意图5.2 半导体存储器一、随机存取存储器RAM1.静态随机存储器SRAMSRAM的基本存储电路(即存储单元)一般是由6个MOS管组成的双稳态电路,如下图所示,六管静态RAM基本存储电路Y地址译码VccV7I/OV8I/OV3V4V5V2V6AV1BDiDiX地址译码图中V1V2是工作管,V3V4是负载管,V5V6是控制管,V7V8也是控制管,它们为同一列线上的存储单元共用。特点:(1)不需要刷新
6、,简化外围电路。(2)内部管子较多,功耗大,集成度低。2.动态随机存储器DRAMDRAM的基本存储电路(存储单元)有单管和四管等结构、仅介绍单管存储单元的结构存储原理,如下图所示,它由一个MOS管V1和一个电容C。读出放大器D位线(数据线)CDV1C字选线单管动态存储电路特点:(1)由于C<7、码输入读/写片选RAM组成示意图3.RAM的组成:包含:(1)存储体外围电路a.地址译码器b.读/写控制及I/O电路c.片选控制CS4.RAM芯片实例Intel-6264芯片是一个8K×8bit的CMOSSRAM芯片,结构图如下图所示。6264结构框图存储矩阵256×256I/O控制电路数据输入/输出缓冲器X行译码Y行译码……&&…I/O0I/O7OEWECS1A5A12A0A425632×8832CS2123456789101112131428272625242322212019181716156264NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND8、VCCWE
7、码输入读/写片选RAM组成示意图3.RAM的组成:包含:(1)存储体外围电路a.地址译码器b.读/写控制及I/O电路c.片选控制CS4.RAM芯片实例Intel-6264芯片是一个8K×8bit的CMOSSRAM芯片,结构图如下图所示。6264结构框图存储矩阵256×256I/O控制电路数据输入/输出缓冲器X行译码Y行译码……&&…I/O0I/O7OEWECS1A5A12A0A425632×8832CS2123456789101112131428272625242322212019181716156264NCA12A7A6A5A4A3A2A1A0D0D1D2GND
8、VCCWE
此文档下载收益归作者所有