内存储器及其管理课件.ppt

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1、主讲教师：XXX系部：XXXXXXXX微型计算机原理及应用第7章   内存储器及其管理7.1存储器概述7.1.1存储器的分类1、按存取速度和在计算机系统中的地位分类主存储器（简称主存）和辅助存储器（简称辅存）2、按存储介质和作用机理分类存储器可分为磁存储器、光学存储器、半导体存储器。3、按存取方式分类分为可读写存储器RAM和只读存储器ROM7.1.2存储器的性能指标7.1存储器概述（续）1、存储器容量：是存储器可以容纳的二进制信息总量，即存储信息的总位（Bit）数。2、存取速度：存储器芯片的存取速度可用存取

2、时间和存储周期这两个时间参数来衡量。7.2半导体存储器双极型RAM可读写存储器RAM静态RAM（SRAM）MOS型RAM动态RAM（DRAM）只读存储器ROM半导体存储器掩膜ROM可编程ROM（PROM）可擦除可编程ROM（EPROM）电可擦除可编程ROM（E2PROM）7.2.1可读写存储器RAM1、静态RAM（SRAM）常用的静态RAM芯片主要有2114、6116、6264、62128、62256等等，下面以6116芯片为例加以介绍。6116芯片是2K×8位的高速静态CMOS可读写存储器，片内共有204

3、8个字节存储单元（16384个基本位存储单元）。6116的工作方式读写未选通10×01×001工作方式WEOECE图7.26116芯片引脚图2、动态RAM（DRAM）动态RAM的基本存储单元是单管动态存储电路。其引脚图见图7.3。7.3动态RAM4164外部引脚7.2.2只读存储器ROM1、掩膜式ROM掩膜式ROM有如下特点：存储的内容一经写入便不能修改，灵活性差；存储内容固定不变，可靠性高；少量生产时造价昂贵，因而只适应于定型批量生产。2、可编程只读存储器PROM（ProgrammableROM）可编程只

4、读存储器PROM便于用户根据自己的需要来写入存储信息。PROM中的存储内容一旦写入就无法更改，是一种一次性写入的只读存储器。3、可擦可编程只读存储器EPROM（ErasablePROM）EPROM作为一种可以多次擦除和重写的ROM，克服了掩膜式ROM和PROM灵活性差的缺点，但对EPROM编程时是在专门的编程器上进行的。而且信息的擦除也需要专门的设备。如Intel2716（2K×8）、2732A（4K×8）、2764（8K×8）、27128（16K×8）、27256（32K×8）、27512（64K×8）7

5、.2.2只读存储器ROM（续）4、电可擦除可编程只读存储器E2PROM（ElectricallyEPROM）E2PROM能以字节为单位擦除和改写，在用户系统下即可完成，使用起来就象RAM一样方便，而且，掉电后内容不丢失。7.3半导体存储器在微机系统中的应用7.3.1存储器在微机系统中的连接1、关于地址线的连接不同容量的存储器芯片，其地址线的位数不同。1K个单元的存储器有10条地址线（A9~A0），2K个单元的存储器有11条地址线（A10~A0），以此类推。2、关于数据线的连接若一片存储器不够8位数据，则需要

6、用多片共同构成存储单元；若CPU系统只有8条数据线，则存储器的数据线与其一一对应相接即可。若有16条或32条数据线，则将内存分为两个以上存储体，每个存储体对应一个8位数据线，分别进行寻址。3、关于控制线的连接不同的存储器芯片，引脚功能的区别主要体现在控制线7.3.1存储器在微机系统中的连接(续)7.3.2存储器的选址1、线选法所谓线选法，是指用某一条高位地址线直接作为存储器芯片的片选信号。特点：1）对应的存储器寻址空间可能不唯一，2）若有多片存储器均使用线选法选址，则可能出现地址不连续或交叉、重叠、覆盖等现

7、象。例：试计算图10.7中3片EPROM2764的寻址空间：设系统有16位地址线A15~A0，而存储器本身使用的地址为A12~A0。我们用三条高位地址线A15，A14，A13分别做三片2764的片选信号。图7.7线选法举例7.3.2存储器的选址（续）存储器A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0寻址空间2764（1）0××00000000000000××0000000000001┇0××11111111111110000H~1FFFH或2000H~3FFFH或4000H~

8、5FFFH或6000H~7FFFH2764（2）×0×0000000000000×0×0000000000001┇×0×11111111111110000H~1FFFH或2000H~3FFFH或8000H~9FFFH或A000H~BFFFH2764（3）××00000000000000××00000000000001┇××011111111111110000H~1FFFH或4000H~5FFFH或8000H~9F