第7章内存储器及其管理

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1、第7章   内存储器及其管理7.1存储器概述7.2半导体存储器7.3半导体存储器在微机系统中的应用7.4PC微机的存储器7.1存储器概述7.1.1存储器的分类1、按存取速度和在计算机系统中的地位分类主存储器（简称主存）和辅助存储器（简称辅存）2、按存储介质和作用机理分类存储器可分为磁存储器、光学存储器、半导体存储器。3、按存取方式分类分为可读写存储器RAM和只读存储器ROM1、存储器容量：是存储器可以容纳的二进制信息总量。存储信息的总位（Bit）数度量：存储信息的总字节（Byte）数2、存取速度：存取时间：一次完整的存取操作时间

2、存储器芯片的存取速度：存储周期：两次连续的存取操作之间的之间的时间间隔7.1.2存储器的性能指标7.2半导体存储器双极型RAM可读写存储器RAM静态RAM（SRAM）MOS型RAM动态RAM（DRAM）只读存储器ROM半导体存储器掩膜ROM可编程ROM（PROM）可擦除可编程ROM（EPROM）电可擦除可编程ROM（E2PROM）7.2.1可读写存储器RAM常用静态RAM芯片:2114、6116、6264、62128、62256读写未选通10×01×001工作方式WEOECE6116:存储容量2K×8位工作方式:1、静态RAM（

3、SRAM）图7.26116芯片引脚图2、动态RAM（DRAM）动态RAM的基本存储单元是单管动态存储电路。其引脚图见图7.3。7.3动态RAM4164外部引脚数据输入数据输出空脚写信号行选通信号列选通信号7.2.2只读存储器ROM1、掩膜式ROM:厂家进行一次性编程，不能改写。掩膜式ROM有如下特点：存储的内容一经写入便不能修改，灵活性差；存储内容固定不变，可靠性高；少量生产时造价昂贵，因而只适应于定型批量生产。2、可编程只读存储器PROM（ProgrammableROM）允许用户进行一次性编程，不能改写。需要使用专用编程器。4

4、、电可擦除可编程只读存储器E2PROM（ElectricallyEPROM）可以在线多次擦除和重写的ROM,不使用专门编程器常用芯片:Intel2817A（2K×8）等3、可擦除可编程只读存储器EPROM（ErasablePROM）可以多次擦除和重写的ROM,使用专门编程器常用芯片:Intel2716（2K×8）、2732A（4K×8）2764（8K×8）、27128（16K×8）27256（32K×8）、27512（64K×8）27010（128K×8）、27020（256K×8）………7.3半导体存储器在微机系统中的应

5、用7.3.1存储器在微机系统中的连接1、地址线的连接连接方式：与总线的地址线对应相连。即：A0接A0、A1接A1、~、An接An连接位数：取决于存储器的地址线位数。剩余地址线的处理：存储器未使用的高位地址线用于片外译码。2、数据线的连接连接方式：与总线的数据线对应相连。即：D0接D0、D1接D1、~、Dn接Dn连接位数：取决于存储器的数据线位数。说明：存储单元一般为8位数据，若一片存储器不够8位数据，则需要用多片共同构成存储单元；若CPU系统只有8条数据线，则存储器的数据线与其一一对应相接即可。若有16条或32条数据线，则将内存

6、分为两个以上存储体，每个存储体对应一个8位数据线，分别进行寻址。3、控制线的连接连接方式：总线的读信号接存储器芯片的读信号；总线的存储器写信号接存储器芯片的写信号；存储器芯片的片选信号接片外译码电路的输出端；电源接总线电源；地接总线地；其他信号个别处理。说明：不同的存储器，个别引脚可能不同，功能的区别主要体现在控制线上。7.3.2存储器的选址1、线选法用某一条高位地址线直接作为存储器芯片的片选信号。特点：1）对应的存储器寻址空间可能不唯一2）若有多片存储器均使用线选法选址，则可能出现地址不连续或交叉、重叠、覆盖等现象。线选法选址

7、方式：译码法图7.7线选法举例存储器A15A14A13A12A11A10A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0寻址空间2764（1）0××00000000000000××0000000000001┇0××11111111111110000H~1FFFH或2000H~3FFFH或4000H~5FFFH或6000H~7FFFH2764（2）×0×0000000000000×0×0000000000001┇×0×11111111111110000H~1FFFH或2000H~3FFFH或8000H~9FFFH或A000H~BFFFH2

8、764（3）××00000000000000××00000000000001┇××011111111111110000H~1FFFH或4000H~5FFFH或8000H~9FFFH或C000H~DFFFH寻址空间的地址计算如下表所示2、译码法:是指通过译码电路或