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时间:2020-07-25
《微电子器件封装第2章课件.ppt》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第二章封装的电设计2.0.封装的电设计概述;2.1.电的基本概念;2.2.封装的信号传输;2.3.互连接的传输线理论;2.4.互连接线间的干扰;2.5.电力分配的电感效应11.封装的电设计的目的?♣确定封装中的电信号和供电的路径;♣确定电路内连接的几何图形并选择合适的封装材料;♣确定无源器件以及光波导的埋封工艺;……2.封装的电设计功能?简单的讲:主要是分配电信号和提供电力分配。【复习提问】3.何为寄生电路?寄生参数有?所谓寄生电路,是指由寄生参数(分布参数)构成的,很容易被人忽略而又存在的电路。寄生参数包
2、括:寄生电容、寄生电感、泄漏电阻、导线内阻等等。2第二章封装的电设计2.0.封装的电设计概述;2.1.电的基本概念;2.2.封装的信号传输;2.3.互连接的传输线理论;2.4.互连接线间的干扰;2.5.电力分配的电感效应32.4.互连接线间的干扰(串线)串线:在均一环境中的两个相邻传输线之间会出相互之间的信号干扰,信号的能量会从一条线转移到另一条线上。称为线间耦合或串线。串线产生的原因:线之间的电容和电感的相互耦合!信号传送:就是是指令数据由一点传输到另一点。激励器接收器互连接42.4.互连接线间的干扰(串
3、线)被动线的向前近端干扰参数:əVinc(t-l/vp)v2(l,t)=KF×2τlətτ=√LC,KF=¼(E/C-M/L)其中:被动线的向后远端干扰参数:v2(0,t)=KR[Vinc(t)-Vinc(t–2l/vp)]KR=¼(E/C+M/L)其中:5为避免串线,电设计基本原则:♥缩小电压的不匹配反射;♥减少印刷电路板相邻信号线之间的信号串线;♥减少芯片与芯片之间的信号延迟;♥采用三方位的封装技术;♥防止信号界面速度的衰减;♥设置多重电源层、接地层及多个高频去耦和电容;♥减少信号线的电容性负载;♥减少
4、终端对印刷电路板的介电性和互连接性能影响;♥减少印刷电路板的厚度……62.5.电力分配的电感效应电力分配IR电压降电感效应封装中对其有影响金属件:互联通道、互连接及金属层。2.5.1电感效应磁场强度(H)磁导率(μr)=磁通密度(Φ)H×μr=ΦΦ/I=L磁通密度(Φ)÷电流(i)=电感(L)7L1VloadVsupplyPMOS晶体管L2Ri(t)电感体的电压与电流的关系:V=LdidtVsupply=(L1+L2)didt+Ri(t)Vload(t)=Vsupply(1-e-t/τ)u(t)i(t)=
5、Vsupply(1-e-t/τ)u(t)/Rτ=L1+L2R82.5.2有效电感L1VloadVsupplyPMOS晶体管L2Ri(t)Vsupply=(L1+L2-2M)didt+Ri(t)Leff=L1+L2-M1-M2=L1+L2-2Mτ=L1+L2-2MR9ΔVp芯片负载VddPMOS晶体管RΔVG++--Q=CVddΔI=CVdd/ΔIΔItotal=NCVdd/ΔI电感电压降与供电电源和芯片终端间电压降等效!ΔItotal=ΔVddΔt/LeffLeff=ΔVdd(Δt)2/NCVddLeff≤
6、ΔVdd(Δt)2/NCVdd2.5.3电感与噪声的关系芯片电路电感10Leff≤ΔVddZ0Δt/NVdd2.5.3电感与噪声的关系输出激励器电感2.5.4供电的噪声即因电流的转换而引起的感生电压波动。Delta-I(ΔI)噪声ΔV=dIdtLeff供电噪声的危害:(1)产生小的输出电流,增加延迟;(2)造成错误开关。112.5.5电感、噪声的调控☻改善供电和接地引线的结构和尺寸;☻降低供电和接地线网络的自感和互感;☻设置去耦合电容。降低系统中回路的电流量。电容Cp和电感2LP的共振:CL1Vsupply
7、L2LpLGCP2Л√2LPCPfmax=1122Л√2LPCPfmax=1去耦合电容的分类:♣低频电容:fmax=100MHz,装在印刷板上;♣中频电容:fmax=500MHz,装在封装上;♣高频电容:fmax﹥1GHz,埋在晶体芯片内。平面电容dC=εωl大的平面面积和小的平面间距可以得到最大的电容量!132.5.6电磁干扰(EMI)辐射/电磁场与噪声的电流频率、电流的大小以及载体的面积成正比。电磁干扰(EMI)的控制:□设置合适的去耦合电容;□减小电流回路尺寸;□降低电流强度和噪声频率;□正确选择和放
8、置接地引脚。14小结封装的电设计概述;封装的信号传输;互连接的传输线理论;互连接线间的干扰(串线);电力分配的电感效应15作业1、如何减少互连接线间的干扰?2、简述电感、噪声及电磁干扰的防控。16
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