白中英组成原理第四版课件.ppt

《白中英组成原理第四版课件.ppt》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、第三章内部存储器3.1存储器概述3.2SRAM存储器3.3DRAM存储器3.4只读存储器和闪速存储器3.5并行存储器3.6Cache存储器返回13.1存储器概述一、分类按存储介质分类：磁表面/半导体存储器按存取方式分类：随机/顺序存取（磁带）按读写功能分类：ROM，RAMRAM：双极型/MOSROM：MROM/PROM/EPROM/EEPROM按信息的可保存性分类：永久性和非永久性的按存储器系统中的作用分类：主/辅/缓/控23.1存储器概述二、存储器分级结构1、目前存储器的特点是：速度快的存储器价格贵，

2、容量小；价格低的存储器速度慢，容量大。在计算机存储器体系结构设计时，我们希望存储器系统的性能高、价格低，那么在存储器系统设计时，应当在存储器容量，速度和价格方面的因素作折中考虑，建立了分层次的存储器体系结构如下图所示。33.1.2存储器分级结构2、分级结构高速缓冲存储器简称cache，它是计算机系统中的一个高速小容量半导体存储器。主存储器简称主存，是计算机系统的主要存储器，用来存放计算机运行期间的大量程序和数据。外存储器简称外存，它是大容量辅助存储器。43.1.2存储器分级结构分层存储器系统之间的连接关

3、系53.1.3主存储器的技术指标字存储单元：存放一个机器字的存储单元，相应的单元地址叫字地址。字节存储单元：存放一个字节的单元，相应的地址称为字节地址。存储容量：指一个存储器中可以容纳的存储单元总数。存储容量越大，能存储的信息就越多。存取时间又称存储器访问时间：指一次读操作命令发出到该操作完成，将数据读出到数据总线上所经历的时间。通常取写操作时间等于读操作时间，故称为存储器存取时间。存储周期：指连续启动两次读操作所需间隔的最小时间。通常，存储周期略大于存取时间，其时间单位为ns。存储器带宽：单位时间里

4、存储器所存取的信息量，通常以位/秒或字节/秒做度量单位。63.2SRAM存储器主存（内部存储器）是半导体存储器。根据信息存储的机理不同可以分为两类：静态读写存储器(SRAM)：存取速度快动态读写存储器(DRAM)：存储容量不如DRAM大。73.2SRAM存储器一、基本的静态存储元阵列1、存储位元2、三组信号线地址线数据线行线列线控制线8SRAM芯片的结构和工作原理1．内部存储单元SRAM的一个存储单元可以用来保存一位数据，即可保存一个“0”或一个“1”。电路如图4-2所示。图4-2SRAM内部存储单元电

5、路中使用的T1、T2、T3、T4均是NMOS管。X是单元行地址选择线，Y是单元列地址选择线。作为存储单元电路,该电路至少应该有保持、写入和读出三种状态。93.2SRAM存储器二、基本的SRAM逻辑结构SRAM芯大多采用双译码方式，以便组织更大的存储容量。采用了二级译码：将地址分成x向、y向两部分如图所示。103.2SRAM存储器存储体（256×128×8）通常把各个字的同一个字的同一位集成在一个芯片（32K×1）中，32K位排成256×128的矩阵。8个片子就可以构成32KB。地址译码器采用双译码的方式

6、（减少选择线的数目）。A0~A7为行地址译码线A8~A14为列地址译码线113.2SRAM存储器读与写的互锁逻辑控制信号中CS是片选信号，CS有效时（低电平），门G1、G2均被打开。OE为读出使能信号，OE有效时（低电平），门G2开启，当写命令WE=1时（高电平），门G1关闭，存储器进行读操作。写操作时，WE=0，门G1开启，门G2关闭。注意，门G1和G2是互锁的，一个开启时另一个必定关闭，这样保证了读时不写，写时不读。123.2SRAM存储器三、存储器的读写周期读周期读出时间Taq读周期时间Trc写

7、周期写周期时间Twc写时间twd存取周期读周期时间Trc=写时间twd13例1P70：图3.5(a)是SRA的写入时序图。其中R/W是读/写命令控制线，当R/W线为低电平时，存储器按给定地址把数据线上的数据写入存储器。请指出图3.5(a)写入时序中的错误，并画出正确的写入时序图。解：点击上图143.3DRAM存储器一、DRAM存储位元的记忆原理SRAM存储器的存储位元是一个触发器，它具有两个稳定的状态。而DRAM存储器的存储位元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路，如图3.6所示。153.3DRA

8、M存储器1、MOS管做为开关使用，而所存储的信息1或0则是由电容器上的电荷量来体现——当电容器充满电荷时，代表存储了1，当电容器放电没有电荷时，代表存储了0。2、图(a)表示写1到存储位元。此时输出缓冲器关闭、刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打开（R/W为低），输入数据DIN=1送到存储元位线上，而行选线为高，打开MOS管，于是位线上的高电平给电容器充电，表示存储了1。3、图(b)表示写0到存储位元。此时输出缓冲器和刷新缓冲器关闭，输入缓冲器打