钣金展开常见错误及工艺处理.doc

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1、钣金展开常见错误及工艺处理本文介绍了钣金展开常见错误及工艺处过程。一工艺处理   1目的:   使产品展开标准化﹑加工标准化。达到快﹑稳﹑准的目的。   2适用范围:   样品中心工程部   3程序内容:   根据钣金样品的制作特点与现场的加工设备,在实际的样品制作中,为保证产品质量,提高生产效率,节省制造成本,工程设计人员在进行图面展开时,需要对展开图中的相关像素作以相应的工艺处理,常见工艺处理如下:   3.1转角处弯曲面在展开时的工艺处理:                                      

2、                 外转角的展开处理:   圆弧段作断开处理,展开后 K为展开前转角内R弧长,底部转角边界取内R投影;当R≤2时,K段长度作截断处理,只保留直边展开。   内转角的展开处理:   直边处展开与折弯一致,圆角处展开采取截断方式,将转角处材料去除,底部转角边界取外R投影。   包角的展开处理:   包角类型的圆角一般都很大,其圆角部分常作圆角处理:   段差转角的展开处理:   将段差段的一边转角截断开后进行展开。   3.2展开后为线段像素的工艺处理:   将线段向外偏移1.0mm,处理标准工

3、艺孔的形式。   3.3抽桥形两侧为线段的工艺处理:   保留割线处理:   当料厚T≤0.4mm时,保留割线处理:   注:当H≥3.0mm时,为防止抽桥拉裂,割线需向两端各延伸1.5mm。   开设工艺孔:   当料厚T>0.4mm时,按割工艺孔处理,工艺孔宽度取1.0mm。   注:当H≥3.0mm时,为防止抽桥拉裂,割线需向两端各延伸1.5m   3.4特殊工艺孔的处理:   在保证小折尺寸和工件形状不受影响前提下,将不规则工艺孔处理成规则形状。   3.5因在折床加工而需进行的工艺处理:   折床折弯加工的一般

4、形式如附图所示,其中V为折床下模V槽的宽度,V槽的选择与料厚有关,其最小折边尺寸受V槽的限制,其关系是L>V/2:    3.5.1当折边料内尺寸小于V/2时,折床无法加工,或采取特殊加工,特殊加工不能加工的此时可将折边补长至最小折弯尺寸,折弯后修磨到所需尺寸。    3.5.2当抽形边缘与折弯处距离小于2。0mm时,则会影响折弯加工。此时,相应折弯线作割孔处理或更改抽形尺寸。   因折弯需要作割孔﹑割线或压线的工艺处理,其割孔﹑割线及压线的长度与像素在折弯在线的投影长度相同,其中割孔宽度为0。5mm;割孔或割线必须通过

5、相关人员确认。   3.5.3当靠近折弯线的孔距折弯小于1。5T的距离时,折弯后会产生变形,此时可根据产品不同的要求,作如下方式的处理:   (1)在靠近折弯线的孔边补料:   折弯后修磨至设计尺寸,当要求保证孔边距时,可按此方法处理,若孔边较长时,须沿修边处作LASER点标记以利于修边。     (2)沿折弯线割孔或割线:   当折弯线对工件外观无影响或可以接受时,则以割孔改善其工艺性,否则则以割线处理。   (3)折床压线处理:   在像素数目较多时,采用折床压线处理   (4)对不重要孔,可将孔扩大至折弯线。   

6、(5)折弯后扩孔处理:   只有一个或几个图孔到折弯线的距离小于最小孔距,产品外观要求严格时,为避免折弯时拉料,此时可对像素进行缩孔处理,既在折弯前先割出一小同心圆(一般为∮1。0mm),折弯后扩孔至原尺寸。   3.6折弯线工艺处理:   3.6.1展开后折弯线必须有始有终,并且折弯线不得在中部相交(反折压平后在折除外)。如存在上述情形,则需增加工艺孔,工艺孔宽度依加工方式定。若采用LASER下料,则宽度S最小为0。5mm;若采用NCT下料,则宽度最小为NCT最小切边刀的尺寸。    3.6.2小折弯的边线与本体不垂直

7、时,折弯时会造成拉料现像,影响产品外观,需将锐角部分作切断处理。   3.6.3反折死边线与本体不垂直时,折弯时会造成拉料现像,影响产品外观,需将锐角部分作工艺缺口处理。   3.6.4两折弯靠在一起时,为保证折弯后不挤料,需在折弯线对接处幵工艺缺口:   3.6.5包料折弯时,需做如下处理:  3.7翻边,压凸的工艺处理:   设计人员在作工件展开时,设及到一些翻边及抽突,当其影响本身成形或周边特征时,需作一些必要的工艺处理:   翻边及翻死边工艺处理。   ·工件在作内翻边时,会产生拉料现象,使工件在内翻边处出现破裂

8、情况,常见的工艺处理方式为:   a)内翻边高度H<4t:   内角R较小时:   注:作宽工艺口一般用作翻死边。   内角R较大时:   b)当抽孔高度较高时(H>hmax),直边部展开与弯曲一致,圆角处展开按保留高为H=Hmax的大小套弯曲计算公式展开,连接处用45度线及圆角均匀过渡,当抽孔高度不高时(H=4mm

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