模拟电子技术习题解答(课后同步)以修改.doc

《模拟电子技术习题解答(课后同步)以修改.doc》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在应用文档-天天文库。

1、习题1一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的，而少数载流子的浓度则与有很大关系。2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。3、在N型半导体中，为多数载流子，为少数载流子。二．判断题1、由于P型半导体中含有大量空穴载流子，N型半导体中含有大量电子载流子，所以P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）2、在N型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P型半导体。（）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小

2、，扩散电流小。（）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（）5、PN结在无光照无外加电压时，结电流为零。（）6、温度升高时，PN结的反向饱和电流将减小。（）7、PN结加正向电压时，空间电荷区将变宽。（）三．简答题1、PN结的伏安特性有何特点？答： 2、什么是PN结的反向击穿？PN结的反向击穿有哪几种类型？各有何特点？答：3、PN结电容是怎样形成的？和普通电容相比有什么区别？习题2一、填空题1、半导体二极管当正偏时，势垒区，扩散电流漂移电流。2、在常温下，硅二极管的门限电压

3、约V，导通后在较大电流下的正向压降约V；锗二极管的门限电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V。3、在常温下，发光二极管的正向导通电压约，硅二极管的门限电压；考虑发光二极管的发光亮度和寿命，其工作电流一般控制在mA。4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管，称为二极管。请写出这种管子四种主要参数，分别是、、和。二、判断题1、二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。a.多数载流子扩散形成b.多数载流子漂移形成c.少数载流子漂移形成d.少数载流子扩散形成2、PN结反向偏置电压的数值增大，但

4、小于击穿电压，（）。a.其反向电流增大b.其反向电流减小c..其反向电流基本不变d.其正向电流增大3、稳压二极管是利用PN结的（）。a.单向导电性b.反偏截止特性c.电容特性d.反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA，温度每升高10℃，其反向饱和电流增大一倍，当温度为40℃时，反向饱和电流值为（）。a.10μAb.15μAc.20μAd.40μA5、变容二极管在电路中使用时，其PN结是（）。a.正向运用b.反向运用三、问答题1、温度对二极管的正向特性影响小，对其反向特性影响大，这是为什么？答：。2、

5、能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？答：3、有A、B两个二极管。它们的反向饱和电流分别为5mA和，在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA，你认为哪一个管的性能较好？答：4、利用硅二极管较陡峭的正向特性，能否实现稳压？若能，则二极管应如何偏置？答：5、什么是齐纳击穿？击穿后是否意味着PN结损坏？答：2.1.1试用电流方程式计算室温下正向电压为0.26V和反向电压为1V时的二极管电流。（设）解：2.1.2写出题图2.1.2所示各电路的输出电压值，设二极管均为理想二极管。解：题图2.1.2

6、2.1.3重复题2.1.2，设二极管均为恒压降模型，且导通电压VD＝0.7V。解：(a)(c)(b)题图2.1.42.1.4设题图2.1.4中的二极管均为理想的（正向可视为短路，反向可视为开路），试判断其中的二极管是导通还是截止，并求出、两端电压。解：2.1.5在用万用表的三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时，共测得三个数据；，试判断它们各是哪一档测出的。解：(a)理想模型(b)恒压降模型图2.1.6π2ππ2ππ2π2.1.6电路如题图2.1.6所示，已知vi＝6sinωt(v)，试画出vi与vo的波形，并标出幅值

7、。分别使用二极管理想模型和恒压降模型（VD＝0.7V）。题图2.1.6解：图2.1.72.1.7电路如题图2.1.7所示，已知vi＝6sinωt(V)，二极管导通电压VD＝0.7V。试画出vi与vO的波形，并标出幅值。题图2.1.7解:2.2.1现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为5V和8V，正向导通电压为0.7V。试问：（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：题图2.2.2解：（1）当VI＝10V时，若VO1＝VZ＝6V，则稳压管的电流为（

8、2）当VI＝10V时，若VO2＝VZ＝6V，则稳压管的电流为2.2.3电路如题图2.2.3（a）（b）所示，稳压管的稳定电压VZ＝3V，R的取值合适，vi的波形如图（c）所示。试分别画出vO1和vO2的波形。题图2.2.3解：波形如图2.2.3所示。题图2.2.3所示的电路中，对于图（a）所示的电路，当时，稳压管DZ反向击穿，vo＝vi−3V，当时，稳压管D