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1、Transphrom–氮化镓FET(HEMT)HEMT:HighElectronMobilityTransistor氮化镓MOSFET(600VDC,能承受周期为1uS,100nS的连续的方波,保证750V)PartNumberPackageVoltage(V)Current(A)Ron(Ohm)DescriptionTPH3245ED下载QFN5*675060.5背部金属接D极TPH3002LD下载QFN8*875090.29背部金属接D极TPH3002LS下载QFN8*875090.29背部金属接S极TPH3002PD下载TO-22075090.29背
2、部金属接D极TPH3002PS下载TO-22075090.29背部金属接S极TPH3006LD下载QFN8*8750170.15背部金属接D极TPH3006LS下载QFN8*8750170.15背部金属接S极TPH3006PD下载TO-220750170.15背部金属接D极TPH3006PS下载TO-220750170.15背部金属接S极TPH3205WS下载TO-247750370.063背部金属接S极1硅，氮化镓FET的结构硅MOS氮化镓氮化镓FET–HEMT1,氮化镓与传统的硅MOS不一样，体内没有形成PN结，即没有体内二极管2，D,S间的导体是通过
3、中间的电子层导通，双向可导通，即常开/NormallyOn3，当G极加负压时D,S间关断。实际应用不方便（需加负压）解决的办法，就是在体内串加一个30V的低压MOSFET解决0V关断5V导通，因此成品体内实际有两个管子硅材料的垂直结构使得P/N结存氮化镓是采用水平结构,通过电在即必然有慢速的寄生二极子层导通没有形成P/N结，同时管，同时D极只能在最下方最下方是衬底GaN,SiFET在开通，关断速度对比(Layout上注意)1，氮化镓的开关速度很快，dv/dt超100v/nS.2，氮化镓体内是有SI+GaN两FET组成。相互的连线必然存在一定的寄生电感.这些
4、需要我们在布线的时候要尽可能地靠近以尽可能减少因走线带来的寄生参数氮化镓FET与Cool‐Mosfet对比ParametersIPA60R160CTPH3006PS6V600V@25600V(spikeDS⁰Crating750V)RDS(25⁰C)0.14/0.160.15/0.18等同Rds(on)对比StaticohmohmQg75nC6.2nC更低的驱动损耗，100mA驱动电流即可Qgd38nC2.2nC更低的米勒效应/更低的开关损耗C66pF[1]56pF[1]o(er)DynamicC314pF[1]110pF[1]o(tr)更小的死区时间Qr
5、r8200nC[2]54nC[3]更小的反向恢复损耗Reversetrr460ns[2]30ns[3]Operation[1]VGS=0V,VDS=0–480V[2]VDS=400V,IDS=11.3A,di/dt=100A/µs[3]VDS=480V,IDS=9A,di/dt=450A/µsGaN与Si在电路上的对比硅材料MOSFET/CoolMos但有二极管特性氮化镓无体内二极管氮化镓材料MOSFET-HEMT氮化镓MOS发热源:MOSFET发热源:1,Rds(on)损耗1,Rds(on)损耗,2,开关损耗（硬开关模式CCM),较低的开关损耗和反向续流
6、二极管损耗.米勒电容很小3,体内二极管反向续流损耗,超低的结电容保证较小的死区损耗.4,死区损耗(软开关模式,DCM).开关损耗对比400nS120nS死区损Vs(V)耗对比Vs(V)Ipr(A)DTDTt(μs)t(μs)TransphormGaNFET允许750V的100nS连续的Spike750V+D.U.T.3MVDS-VG900VMOSFETPulseWidth≥1uSDutyRatio=0.1Fig.1SpikeVoltageTestCircuit•3不同批次,>77通过测试•通过功率器件的JEDEC标准•频率>10KHz,占空比10%的750
7、V耐压（即100nS可重复的spike电压）氮化镓器件能将设计最简单化用传统COOL-MOSFET或一般MOSFET，需加Snubber吸收电路。此电路有几W的损耗掉了(%)(W)DS2CS2LSLossL1L1D1++EfficiencyVC1INDS1损CS1耗Pout(W)Q1BoostdesignusingTransphorm’sGaNMOSFETandGaNDiodeproducing>99%efficiencyandusingfewercomponents一般测试效率为97-98%较多一旦换成氮化镓MOSFET，效率达99.2%+L1L1+D1
8、PFCSwitchingConditionsDG•Vin=220v
