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时间:2020-06-23
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1、四探针法测量电阻率和薄层电阻一、引言电阻率是半导体材料的重要参数之一。电阻率的测量方法很多,如三探针法、霍尔效应法、扩展电阻法等。四探针法则是一种广泛采用的标准方法,其主要优点在于设备简单、操作方便、精确度高、对样品的几何尺寸无严格要求。不仅能测量大块半导体材料的电阻率,也能测量异形层、扩散层、离子注入层、外延层及薄膜半导体材料的电阻率,因此在科学研究及实际生产中得到广泛利用。二、实验目的1.掌握四探针法测量半导体材料电阻率和薄层电阻的原理及方法;2.了解四探针测试仪的结构、原理和使用方法。三、实验原理1.体电阻率测量假定一块电阻率
2、均匀的半导体材料,其几何尺寸与测量探针的间距相比较可以看作半无穷大,探针引入的点电流源的电流强度为I。那么,对于半无穷大样品上的这个点电流源而言,样品中的等电位面是一个球面,如图1所示。图1半无穷大样品点电流源的半球等位面对于离开点电流源半径为r的半球面上的P点,其电流密度j为Ij(1)22r2式中,I为点电流源的强度,2r是半径为r的半球等位面的面积。由于P点的电流密度与该点处的电场强度E存在以下关系:Er()j(2)则:IdVr()Er()j(3)22rdr设无限远处电位为零,即Vr()0,则P点的电
3、位可以表示为rrIVr()Erdr()(4)2r上式就是半无穷大均匀样品上离开点电流源距离为r的点的电位与探针流过的电流和样品电阻率的关系式,它代表了一个点电流源对距离r处的点的电势的贡献。图2任意位置的四探针对图2所示的情形,四根探针位于样品中央,电流从探针1流入,从探针4流出,则可将1和4探针认为是点电流源,由(4)式可知,2和3探针的电位V2、V3分别为:I11V2()(5)2rr1224I11V3()(6)2rr13342、3探针的电位差为:I1111V23V2V3()(7)2
4、rrrr12241334所以,样品的电阻率为:2V2311111()(8)Irrrr12241334上式就是利用直流四探针法测量电阻率的普遍公式。我们只需测出流过1、4探针的电流I以及2、3探针间的电位差V23,代入四根探针的间距,就可以求出该样品的电阻率。图3直线型四探针实际测量中,最常用的是直线型四探针(如图3所示),即四根探针的针尖位于同一直线上,并且间距分别为S1、S2和S3,则有:I1111VV23V()(9)2SSSSSS1231232V11111()(10)ISSSS
5、SS123123当S1S2S3S时,(10)式简化为V2S(11)I(11)式就是利用直线型四探针测量电阻率的公式。可见只要测出流过1、4探针的电流I,2、3探针间的电势差V,以及探针间距S,就可以求出样品的电阻率。以上公式是在半无限大样品的基础上导出的。实际上只要样品的厚度及边缘与探针之间的最近距离大于4倍探针间距S时,(11)式就具有足够的精确度。若这些条件不能满足时,由探针流入样品的电流就会被样品的边界表面反射(非导电边界)或吸收(导电边界),结果会使2、3探针处的电位升高或降低。因此,在这种情况下测得的电阻率值会高
6、于或低于样品电阻率的真实值,故对测量结果需要进行一定的修正。修正后的计算公式为2SV(12)BI0式中B0为修正因子。此外,在测量的过程中,还需要注意以下问题:(1)为了增加测量表面的载流子复合速度,避免少子注入对测量结果的影响,待测样品的表面需经粗磨或喷砂处理,特别是高电阻率的样品要注意这一点。(2)在测量高阻材料和光敏材料时,由于光电导效应和光压效应会严重影响电阻率的测量,应特别注意避免光照。(3)需在电场强度1/Vcm的弱场下进行测量。若电场太强,会使载流子迁移率降低,导致电阻率的测量值增大。(4)半导体材料的电阻率
7、随温度的变化很灵敏。例如电阻率为10cm的单晶硅,当温度从23℃上升到28℃时,其电阻率大约减小4%。因此必须在样品达到热平衡的情况下进行测量,并记录测量时的温度。必要时还需进行温度系数修正。(5)测量时电流I要选择适当,电流太小,会降低电压测量精度,但电流太大会因非平衡载流子注入或样品发热而使电阻率降低。2.薄层电阻测试相对于探针间距,当样品厚度d为无穷小,而面积为无穷大时,如图4所示。这时从探针1流入和从探针4流出的电流,其等位面近似为圆柱面(高为d。任一等位面的半径设为r),类似于上面对半无穷大样品的推导,很容易得出当r12
8、r23r34S时,极薄样品的电阻率为:VV2323()dd4.5324(13)ln2II(13)式说明:对于极薄样品,在等间距探针情况下,测量结果与探针间距无关,电阻率与被测样品的厚度d成正比。图4薄
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