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时间:2019-01-03
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1、实验七:四探针法测量材料的电阻率和电导率ID:20110010020[实验目的h1、了解四探针电阻率测试仪的基本原理;2、了解的四探针电阻率测试仪组成、原理和使用方法;3、能对给定的物质进行实验,并对实验结果进行分析、处理。[实验原理]:单晶硅体电阻率的测量测试原理:直流四探针法测试原理简介如门图1四探针测呈原理图当1、2、3、4根金属探针排成直线时,并以一定的压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。材料的电阻率P=C—(。•C")(1)式中C为探针系数,曲探针几何位
2、置、样品厚度和尺寸决定,通常表示为C=F(D/S)・F(W/S、Fsp・W式中:F(WS)、F(D/S)、Fsp分别样品厚度修正因子、直径修正因子、探针间距修止系数(四探针头合格证上的F值)。W:片厚,D:片径,S:探针间距。[实验装置]:使用RTS-4型四探针测试仪1、电气部分:过DC-DC变换器将直流电转换成高频电流,由恒流源电路产生的高频稳定恒定一直流电流其量程为0.1mA、1mA、10mA、100mA;数值连续可调,输送到1>4探针上,在样甜上产生电位差,此直流电压信号由2、3探针输送到电气箱内。再
3、曲高灵敏,高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大(放大量程有0.763、7.63、76.3)o放大倍数可口动也可人工选择,放大结杲通过A/D转换送入计算机显示出来。RTS-4型四探针测试仪框图如下所示。图2四探针测试仪电气部分原理方框2o测试架探头及压力传动机构、样品台构成,见图3所示,探头采用精密加工,内冇弹簧加力装置,测试需要对基片厚度进行测量,以便对探头升降高度进行限制。图3测试架结构图[实验内容]:一、测试准备:将220V电源插入电源插座,开机后等十分钟在进行测量。1.利用标样学习测试参数确定:进入
4、系统,打开主界面。①选择参数:选择测试类别(如薄圆片还是棒材电阻率等);②输入参数:片厚(mm);直径;选择电流量程。③试测量,记录测试结果。2.与标准样品参数比较按照已知条件标准样品在环境温度23°C时,电阻率为:0.924Q*cm(中心点),与测量结果对比,说明产生差别的原因。二、样品测量:将待测样品放在探针卜•部,按上面选择测量参量,输入被测样品的厚度、直径、电流量程,点击测试测量键,开始测量,记录测试结果。注:测量过程中不要移动探针和样品。同一样品重复测量3次,将三次测量得的电阻率值取平均,即为样甜
5、的平均电阻率值。将结果记录在表格。电阻Pi(Q*cm)P2(Q*cm)P3(Q*cm)平均值单晶硅薄圆片2.492.512.482.49方块ITO导电玻璃12.8312.8712.7712.82石墨棒2.6mQ2.7mQ2.6mQ2.63mQ指导教师签字:
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