计算机存储器介绍.ppt

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1、第五章存储器§5.1存储器概述§5.2存储器芯片§5.3存储器的应用作用:存储程序和被处理的数据以及运算的结果。1、主存、辅存、高速缓存按存储器在微机中的不同地位,可以分为:主存:或称内存,它用来存放当前正在使用的或经常要使用的程序和数据,CPU可以直接对其进行访问。程序只有被放入内存,才能被CPU执行。辅存:或称外存,它用来永久存放各种信息。高速缓冲存储器:介于CPU与主存之间的容量更小、而速度更快的存储器。5.1存储器概述2、多级存储结构多级存储结构的形成:CPU不断的访问存储器,存储器的存取速度将直接影响计算机的工作效率。在某一段时间内,CPU只运行存储器中部分程序和访问

2、部分数据,其中大部分是暂时不用的。增加高速缓冲存储器(Cache)目的:提高CPU运行速度,提高运行效率。位置:CPU与主存之间CPU辅存Cache主存CPU辅存主存5.1存储器概述5.1存储器概述主存先将某一小数据块移入Cache中,当CPU对主存某地址进行访问时,先通过地址映像变换机制判断该地址所在的数据块是否已经在Cache中,若在则访问Cache,称为“命中”,若不在则CPU直接访问主存,并同时将主存中包含该地址的数据块调入Cache中,以备CPU的进一步访问。主存地址地址映象变换Cache主存CPU译码命中未命中3、计量单位位:一个cell,记做bit字节:8bit,

3、记做Byte,简写B1KB=1024B1MB=1024KB1GB=1024MB1TB=1024GB1PB=1024TB……00001H00000HFFFFFH…………4、存储器地址空间8086地址总线有20位,可以寻址220=1M字节的存储器地址空间,按照00000H~FFFFFH来编址。■编址的单位为字节5.1存储器概述+段寄存器值偏移量物理地址IPCSSI、DI、BXDSSP、BPSS代码段数据段堆栈段存储单元物理地址的计算物理地址=段地址+偏移量8086运行过程中,取指令时,CPU就会选择CS和IP中内容形成指令所在的20位物理地址;进行内存操作是,CPU会选择DS和SI

4、、DI或BX形成操作数所在的20位物理地址。按存储介质(纪录0、1信息的物质)分类5.1存储器概述半导体存储器:用半导体材料制成的存储器,大多用作主存。磁表面存储器:利用磁层来纪录信息,工作时由磁头在磁层上的移动,来进行读或写操作。常用作辅存,如硬盘、软磁盘、磁带等。注意:磁介质通常要避免粉尘、高温、烟雾的影响。磁介质的磁性会随着时间的流逝而慢慢降低,最终导致数据丢失。一般,存储在磁介质上的数据可靠的生命是三年。在存储数据之前,磁表面上的颗粒磁向是随机的读写磁头磁化磁表面的颗粒。颗粒的正极指向磁头负极读写磁头可以翻转磁表面颗粒的磁向。磁表面颗粒的磁向排列记录了数据光存储器:使用

5、激光在存储介质表面上烧蚀出数据。烧蚀在介质表面微小的凸凹模式表示了数据。光学介质上的数据可以永久保存。但是,使用光学介质不像使用磁介质那样可以容易地改变它存储的数据。光驱使用激光从光盘上读数据。当烧灼光盘时,激光将反射层上刻出凹坑。这些凹坑是黑色的,不能反射激光当光驱读取数据的时候,它使用较弱的激光。激光射在凹坑上,没有反射光当激光射在反射层上,就会有激光反射回读头。黑点和反射点的排列模式就可以表示数据按存取方式分类:5.1存储器概述双极型RAM静态SRAMMOS动态DRAMROM掩模ROM电可擦除(E2PROM)可编程ROM(PROM)光可擦除(EPROM)半导体存储器RAM

6、随机存储器包含两重含义:1.对存储器的访问是随机的,即能以任意的顺序访问一存储单元。2.存储器可读可写。RAM主要用于主存储器和高速缓冲存储器。RAM按工艺分为晶体管双极型和MOS型(金属氧化物半导体)。MOS型又可分为静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM)。MOS型示意图(MOSFET金属氧化物半导体场效应晶体管)Substratematerial基底材料Currentchannel电流沟道Source 源极Drain 漏极Gate 门电极Metal-oxidelayerMOS(金属氧化物半导体)——一种集成电路技术,在金属门电极和半导体通道之间采用二氧化硅作为绝缘层

7、来制作场效应晶体管(FET)。MOSFET:Metal-OxideSemiconductorField-EffectTransistorROM只读存贮器CPU正常操作时,只能读取ROM中的内容,但对它的访问也是随机的。一般在ROM中存放固定的程序和数据,如计算机系统的引导程序、监控程序、基本输入输出(BIOS)程序等,使计算机能够开机运行。计算机系统在加电以后,马上就运行ROM中的引导程序,将复杂的系统程序从辅存中引入主存。掩模ROM、PROM、EPROM、E2PROM掩模ROM是由厂家按用

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