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1、第5章存储器本章主要知识点：1、存储器的工作原理、读/写操作的基本过程；2、地址译码电路设计；3、8086存储器的扩展设计方法本章学习的重点：1、存储器的工作原理、读/写操作的基本过程2、RAM、ROM芯片的组成特点、工作过程、典型芯片的引脚信号、基本概念。3、存储器的扩展电路设计原理存储器工作原理图半导体存储器的分类5.2随机读写存储器（RAM）RAM的特点是：CPU可以将寄存器的数据通过数据总线写入到存储器中，也能将存储器中的数据通过数据线读到CPU的寄存器中。失电后存储器中的数据丢失！微处理器8086存储器RAM存储器ROMI/O接口外围设备地址总线AB控制总线CB数据总线
2、DB写入的方向读出的方向最基本的SRAM芯片21142114为1K×4容量的RAMGNDCSA2A1A0A3A4A5A6A7A8A9VccI/O1I/O2I/O3I/O4WE引脚功能:1、A0~A9为地址线，10位，寻址范围为0000~03FFH1K2、I/O1~I/O4为数据线，4位3、CS片选信号线，CS=0时，该片进行读/写操作，CS=1时，该该片不能进行读/写操作。4、WE（R/W）读/写控制信号线。WE=0时能把数据写入到RAM。WE=1时能读出RAM中的数据。地址线的位数决定了存储器的寻址范围----存储容量数据线的位数决定了存储器可存储数据的长度，目前都为8位数据长
3、度常用的SRAM芯片有6116、6264、62256等。图6116引脚SRAM引脚功能:A0-A10:地址线,到地址总线(存储量2K)D0-D7:数据线,到数据总线CS:片选,=0时该片被选中,与WE和OE组合,可以将数据线上的数据写入到地址线指定的地址单元中或将地址线指定的地址单元的内容送到数据线上.WE:写允许.=0时,数据由总线写入存储器图6264引脚RAM引脚功能:A0-AN:地址线,到地址总线(N由存储量决定)D0-D7:数据线,到数据总线CS:片选,=0时该片被选中,与WE和OE组合,可以将数据线上的数据写入到地址线指定的地址单元中或将地址线指定的地址单元的内容送到数
4、据线上.WE:写允许.=0时,数据由总线写入存储器。注：有些容量较大的SRAM有CS2控制信号，在使用时也只用到CS1，将CS2按信号真值表的要求接到高电平即可。在使用中，只有当CS1为低电平时，WE和OE才起控制作用。SRAM引脚功能总结:A0-AN：地址线,到地址总线(N由存储量决定)D0-D7：数据线,到数据总线CS：片选=0时该片被选中,与WE和OE组合,可以将数据线上的数据写入到地址线指定的地址单元中或将地址线指定的地址单元的内容送到数据线上.WE：写允许.=0时,数据由总线写入存储器(2114只有WE,=1时,从存储器读出数据)OE：读允许.=0时,从存储器读出数据S
5、RAM的特点：1、为可读写存储器,失电后存储的内容丢失；2、A0~AN为地址线，N决定了存储器的存储容量，如A0~A12为8K，A0~A10为2K范围。3、OE=0数据输出；4、WE=0数据输入；OE、WE数据读写控制。5、CS片选控制，=0时，该片由OE、WE控制读写操作，=1时，该片没被选中，不能进行读写操作。6、I/O0~I/O7数据线8位(都为8位)各存储器的区别仅仅是地址线的数量差别，地址线多，容量大。常见的RAM有：6116（2K×8位）、6264（8K×8位）62256（32K×8位）常用存储器地址译码电路图74LS138引脚图74LS138可用来作为存储器的译码电
6、路。也称为3:8译码器G2A、G2B、G1为控制信号Ａ、Ｂ、Ｃ为８输出选择信号线Y0-Y7是输出信号线G2AG2BG1CBAY7～Y0有效输出00100011111110YO=0，其余=100100111111101Y1=0，其余=100101011111011Y2=0，其余=100101111110111Y3=0，其余=100110011101111Y4=0，其余=100110111011111Y5=0，其余=100111010111111Y6=0，其余=100111101111111Y7=0，其余=1其它值XXX11111111无效表74LS138的真值表译码电路的特性：1）
7、每次只能有一位为低电平，其余都为高电平；2）A、B、C三位输入决定了8种输出选择；3）输出状态由A、B、C、G1、G2A、G2B的逻辑组合而决定；必须的条件C、B、A的状态决定那位输出为低译码电路的应用举例G2BG2AG1ABCY0Y1Y2Y3Y4Y5Y6Y7M/IOA15A14A13A16+A19A18A17Y0=010000H~11FFFH8KY1=012000H~13FFFH8KY2=014000H~15FFFH8KY3=016000H~17FFFH8KY4=018000H
