半导体曲线图.doc

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1、电阻率随温度的变化对于纯半导体材料。电阻率主要由本征载流子浓度ni决定。ni随温度上升而急剧增加，室温附近温度每升高8℃，硅的ni就增加一倍，因为迁移率只稍有下降，所以电阻率就降低一半左右；对锗来说，温度每增加12℃，ni增加一倍，电阻率降低一半。本征半导体电阻率随温度增加而单调地下降。这是半导体区别于金属的一个重要特征。对于杂质半导体，有杂质电离和本征激发两个因素存在，又有电离杂质散射和晶格散射两种散射机构的存在，因而电阻随温度的变化关系要复杂些，如图所示表示一定杂质浓度的硅样品的电阻率和温度的

2、关系，曲线大致分为三段。AB段：温度很低，本征激发可以忽略，载流子主要由杂质电离提供，它随温度的升高而增加；散射主要由电离杂质决定，迁移率随温度升高而增大，所以电阻率随温度升高而下降。BC段：温度继续升高（包括室温），杂质已全部电离，本征激发还不十分显著，载流子基本上不随温度变化，晶格振动散射上升为主要矛盾，迁移率随温度升高而降低，所以电阻率随温度升高而增大。C段：温度继续升高，本征激发很快增加，大量本征载流子的产生远远超过迁移率的减小对电阻率的影响，这时本征激发成为矛盾的主要方面，杂质半导体的电

3、阻率将随温度的升高而急剧地下降，表现出同本征半导体相似的特征。很明显，杂质浓度越高，进入本征导电占优势的温度也越高；材料的禁带宽度越大，同一温度下的本征载流子浓度就越低，进入本征导电的温度也越高。温度高到本征导电起主要作用时，一般器件就不能正常工作，它就是器件的最高温度。一般来说，锗器件的最高工作温度为100℃，硅为250℃，而砷化镓可达450℃。