基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估.pdf

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1、第35卷第8期四川兵工学报2014年8月【基础理论与应用研究】doi：10．11809／scbgxb2014．08．039基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估齐浩淳，张小玲，谢雪松，吕长志，陈成菊，赵利(1．北京工业大学可靠性物理实验室，北京100124；2．中国人民解放军68129部队，兰州730060)摘要：提出了用理想因子n作为表征，对双极晶体管的贮存寿命进行评估的新方法。以某型双极晶体管为研究对象，进行了3组不同温、湿度恒定应力的加速退化试验，分析了随试验时间的增加双极晶体管样品的性能参数退化的原因。通过设定失效判据，利用晶体管样

2、品在小电流情况下PN结的理想因子的退化趋势外推出双极晶体管的贮存寿命，并与通过反向漏电流的退化趋势预测得到的贮存寿命结果进行了对比。结果证明，晶体管PN结的理想因子退化也可以作为晶体管贮存寿命的一种表征，从而对晶体管的贮存可靠性进行评估。关键词：双极晶体管；理想因子；加速试验；贮存寿命本文引用格式：齐浩淳，张小玲，谢雪松，等．基于理想因子退化的双极晶体管贮存寿命评估[J]．四川兵工学报，2014(8)：141—145．中图分类号：TN322．8文献标识码：A文章编号：1006—0707(2014)08—0141—05Bipolar·trans

3、istorStorageLifetimeAssessmentBasedonIdealityFactorDegradationQIHao—chun’，ZHANGXiao—ling，XIEXue—song，LYUChang—zhi，CHENCheng-ju，ZHA0Li(1．LaboratoryofReliabilityPhysics，BeijingUniversityofTechnology，Beijing100124，China；2．TheChinesepeople’sliberationarmy68129troops。Lanzhou7300

4、60，China))Abstract：Anewmethodisproposed，whichusestheidealityfactornascharacterizationtoassessthestoragelifetimeofbipolartransistors．Choosingonebipolartransistorsasthestudyobject，threegroupac—celeratingdegradationtestsareconductedinthedifferenttemperature-humidityconstantstr

5、esses．There—searchanalyzedwhytheperformanceparametersoftransistorsamplesdegradedwiththetesttimepassing．Bysettingthefailurecriterion，thestoragelifetimewasextrapolatedfromthedegradationtrendofidealityfactorPNiunctioninthesmallcurrent，whichwascomparedwiththatfromthereverseleak

6、agecurrent．ThefindingsprovetheidealityfactorPNjunctioncanbetakenasacharacterizationtoevaluatethetran‘sistorstoragereliability．Keywords：bipolartransistor；idealityfactor；acceleratingtest；storagelifetimeCitationformat：QIHao—chun，ZHANGXiao-ling，XIEXue—song，eta1．Bipolar-transist

7、orStorageLifetimeAssessmentBasedonIdealityFactorDegradation[J]．JournalofSichuanOrdnance，2014(8)：141—145．对于大量应用于电子工业、航空航天工业等领域的长寿Jayaram与Girish⋯对试验退化数据的统计分析问题进命、高可靠性的产品而言，性能参数的退化最终导致了产品行了研究，提出了对样本退化量基于半似然估计的研究方的失效。近几年来，人们通过产品的性能参数的退化数据，法，并给出了参数的点估计与区问估计；Oliveira等对比分对产品的贮存可靠性

8、进行预测。析了包括解析方法、数值方法和近似方法等几种基于退化试收稿日期：2014—03—27作者简介：齐浩淳(1984一)，男，博士研究生，主要从事半导体器件物理、