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时间:2020-06-09
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1、CIGS薄膜太阳能电池介绍二、铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池介绍三、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池介绍学术界和产业界普遍认为太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池,第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池,第三代太阳能电池就是铜铟镓硒CIGS(CIS中掺入Ga)等化合物薄膜太阳能电池及薄膜Si系太阳能电池。铜铟镓硒薄膜太阳能电池是多元化合物薄膜电池的重要一员,由于其优越的综合性能,已成为全球光伏领域研究热点之一。按制备材料的不同硅基太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池有机聚合物太阳能电池纳米晶太阳能电池主要:GaA
2、sCdSCIGS目前,综合性能最好的薄膜太阳能电池硅基太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池有机聚合物太阳能电池硅基太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池纳米晶太阳能电池有机聚合物太阳能电池硅基太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池纳米晶太阳能电池有机聚合物太阳能电池硅基太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池纳米晶太阳能电池有机聚合物太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池硅基太阳能电池纳米晶太阳能电池有机聚合物太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池硅基太阳能电池纳米晶太阳能电池有机聚合物太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池硅基太阳能电池纳米晶太阳能电池有机
3、聚合物太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池目前,综合性能最好的薄膜太阳能电池主要:GaAsCdSCIGS目前,综合性能最好的薄膜太阳能电池主要:GaAsCdSCIGS目前,综合性能最好的薄膜太阳能电池硅基太阳能电池纳米晶太阳能电池有机聚合物太阳能电池多元化合物薄膜太阳能电池主要:GaAsCdSCIGS目前,综合性能最好的薄膜太阳能电池一、第三代太阳能电池二、铜铟硒(CIS)薄膜太阳能电池介绍简介铜铟硒太阳能薄膜电池(简称铜铟硒电池)是在玻璃或其它廉价衬底上沉积若干层金属化合物半导体薄膜,薄膜总厚度大约为2-3微米,利用太阳光发电。铜
4、铟硒电池具有成本低、性能稳定、抗辐射能力强等特性,光电转换效率目前是各种薄膜太阳电池之首,正是由于其优异的性能被国际上称为下一时代的廉价太阳能电池,吸引了众多机构及专家进行研究开发。但因为铜铟硒电池是多元化合物半导体器件,具有复杂的多层结构和敏感的元素配比,要求其工艺和制备条件极为苛刻,目前只有美国、日本、德国完成了中试线的开发,但尚未实现规模化生产。突出特点:CIS太阳电池有转换效率高、制造成本低、电池性能稳定三大突出的特点。转换效率高CIS薄膜的禁带宽度为1.04eV,通过掺入适量的Ga(镓)以替代部分In,成为CuIn1=x
5、GaxSe2(简称CIGS)混溶晶体,薄膜的禁带宽度可在1.04~1.7eV范围内调整,这就为太阳电池最佳带隙的优化提供了新的途径。所以,CIS(CIGS)是高效薄膜太阳电池的最有前途的光伏材料。美国NREL使用三步沉积法制作的CIGS太阳能电池的最高转换效率为19.5%,是薄膜太阳电池的世界纪录。制造成本低吸收层薄膜CuInSe2是一种直接带隙材料,光吸收率高达105量级,最适于太阳电池薄膜化,电池厚度可以做到2~3Lm,降低了昂贵的材料消耗。CIS电池年产1.5MW,其成本是晶体硅太阳电池的1/2~1/3,能量偿还时间在一年之
6、内,远远低于晶体硅太阳电池。电池性能稳定美国波音航空公司曾经制备91cm2的CIS组件,转换效率为6.5%。100MW/cm2光照7900h后发现电池效率没有任何衰减,西门子公司制备的CIS电池组件在美国国家可再生能源实验室(NREL)室外测试设备上,经受7年的考验仍然显示着原有的性能。三、铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池介绍以铜铟镓硒为吸收层的高效薄膜太阳能电池,简称为铜铟镓硒电池CIGS电池。其典型结构是:Glass/Mo/CIGS/ZnS/ZnO/ZAO/MgF2。(多层膜典型结构:金属栅/减反膜/透明电极/窗口层/过渡层
7、/光吸收层/背电极/玻璃)CIGS薄膜电池组成可表示成Cu(In1-xGax)Se2的形式,具有黄铜矿相结构,是CuInSe2和CuGaSe2的混晶半导体。CIGS的晶体结构CuInSe2黄铜矿晶格结构CuInSe2复式晶格:a=0.577,c=1.154直接带隙半导体,其光吸收系数高达105/cm量级通过掺入适量的Ga以替代部分In,形成CulnSe2和CuGaSe2的固熔晶体Ga的掺入会改变晶体的晶格常数,改变了原子之间的作用力,最终实现了材料禁带宽度的改变,在1.04一1.7eV范围内可以根据设计调整,以达到最高的转化效率非
8、晶硅薄膜太阳能电池的优点低成本能量返回期短大面积自动化生产高温性好弱光响应好(充电效率高)其他低成本单结晶硅太阳电池的厚度<0.5um。主要原材料是生产高纯多晶硅过程中使用的硅烷,这种气体,化学工业可大量供应,且十分便宜,制造一瓦非晶硅太阳能电池的
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