电工电子学（复习）.ppt

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1、电工电子学A2复习一、选择题（共20分，每题2分）二、填空题（共16分，每题2分）三、计算题（64分，5个计算题）重点关注习题14.3.7，14.3.8，14.3.9；15.3.7，15.4.5，15.6.2；16.2.10，16.2.13；17.2.12；18.3.4；例题20.6.2，20.5.12，20.6.12，20.6.20；21.1.19。第14章半导体的导电特性14.1半导体的导电特性1、本征半导体的载流子：自由电子和空穴14.1.1本征半导体2、载流子产生的原因：本征激发。温度愈高，载流子的数目愈多14.1.2N型半导体和P型半导体1、在N型半导体中：自由电子是多数载流子（掺

2、杂），空穴是少数载流子（本征激发）。2、在P型半导体中：空穴是多数载流子（掺杂），自由电子是少数载流子（本征激发）。14.2PN结14.2.2PN结的单向导电性1、PN结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。2、PN结加反向电压时，PN结变宽，反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。14.3半导体二极管二极管的单向导电性二极管加正向电压（正向偏置），二极管处于导通状态；二极管加反向电压（反向偏置），二极管处于截止状态。二极管电路分析定性分析：判断二极管的工作状态导通截止分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位的高低或所加电压UD的正负。若V阳>V

3、阴或UD为正(正向偏置)，二极管导通若V阳V阴二极管导通若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB=－6V否则，UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V例1：取B点作参考点，断开二极管，分析

4、二极管阳极和阴极的电位。在这里，二极管起钳位作用。D6V12V3kBAUAB+–DC导通，DA、DB截止+9VRDADC3VYDB3V0V例2：图中三管的工作状态D6VRuoui++––已知：二极管是理想的，试画出uo波形。例3：6Vui>6V，二极管截止，可看作开路uo=6Vui≤6V，二极管导通，可看作短路uo=ui二极管阳极电位为6V，二极管阴极电位为ui，ui/V18V-18V0稳压二极管是一种特殊的面接触型半导体硅二极管。其表示符号如下图所示。稳压二极管工作于反向击穿区。14.3稳压二极管14.3.2伏安特性硅管0.5V锗管0.1V反向击穿电压U(BR)导通压降外加电压大于死区电

5、压二极管才能导通。外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。反向特性硅0.6~0.8V锗0.2~0.3VUI死区电压PN+–PN–+反向电流在一定电压范围内保持常数。14.4双极型晶体管(a)NPN型晶体管；(a)NNCEBPCETBIBIEIC(b)BECPPNETCBIBIEIC(b)PNP型晶体管14.4.1基本结构2.三极管放大的外部条件发射结正偏、集电结反偏1.三极管放大的内部条件P18发射区：掺杂浓度最高；基区：最薄，掺杂浓度最低集电区：面积最大14.4.2放大原理+UBEICIEIBCTEB+UCE(a)NPN型晶体管；+UBEIBIEICCTEB

6、+UCE(b)PNP型晶体管放大：VC>VB>VE放大：VC

7、反向偏置(3)饱和区特点：发射结处于正向偏置、集电结处于正向偏置IC=IBIC0IC≤IB，UCES0V例1、晶体管具有放大作用的外部条件为发射结，集电结。例2、晶体管输出特性分三个区域，分别为区、区和区。例3、测量某硅晶体管各电极对地的电压值为：VC=6V，VB=2V，VE=1.3V。则管子工作在()区域。a.放大区b.饱和区c.截止区。a例4、测量某晶体管放大时各电极对地的电压值为：-6V，-2V