半导体物理半导体试题A.doc

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1、陕西科技大学试题纸课程半导体物理班级　　　　　学号姓名题号一二三四五六七八九十总分得分阅卷人一、选择题（15）1.金属-半导体接触整流理论：扩散理论和热电子发射理论分别只适用于（）。（A）厚阻挡层和薄阻挡层（B）薄阻挡层和厚阻挡层（C）正向厚阻挡层和正向薄阻挡层（D）反向厚阻挡层和反向薄阻挡层２　突变耗尽层的条件是（　　）（A）外加电压和接触电势都降落在耗尽层上（B）耗尽层中的电荷是由电力施主和电力受主的电荷组成（C）耗尽层外的半导体是电中性的（D）（A）、（B）（C）３　自补偿效应的起因是（　　）（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能

2、级缺陷（C）掺入的杂质是双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生４　某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（　　）。（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度５　实际上，在非平衡条件下，往往起重要作用的是（）。（A）多数载流子　（B）少数载流子（C）多数和少数载流子（D）非平衡少数载流子６　硅中掺金的工艺主要用于制造（　　）器件。（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率７　欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅（Wm=4.25eV）上做欧姆接触，以下四种金属中最适合的是（　　）．（A）In(Wm=3.8eV)（B）Cr(Wm=

3、4.6eV)（C）Au(Wm=4.8eV)（D）Al(Wm=4.2eV)８在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。（A）禁带较窄（B）禁带是间接跃迁型（C）禁带较宽（D）禁带是直接跃迁型９.公式中的mn*()。（A）对硅取值相同（B）对ＧａＰ取值相同（C）对ＧａAＳ取值相同（D）对Ｇｅ取值相同10.轻空穴指的是（　　）。（A）质量较小的原子组成的半导体中的空穴（B）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴（C）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴（D）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴11根据费米分布函数，空穴占据（EF+kT)能级的几率（）。（A

4、）等于电子占据（EF+kT)级的几率（B）等于电子占据（EF-kT)级的几率（C）大于空穴占据EF的几率（D）大于电子占据EF的几率12对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度的上升而（）。（A）单调上升（B）单调下降（C）经过一极小值趋近Ei（D）经过一极大值趋近Ei13若某种材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）（A）金属（B）本征半导体（C）掺杂半导体（D）高纯化合物半导体14公式中的是载流子的（）。（A）迁移率（B）寿命（C）平均自由时间（D）扩散系数15下列情形中，室温下功函数最大者为（)。（A）含硼1×1015/cm3的

5、硅（B）含磷1×1016/cm3的硅（C）含硼1×1015/cm3，磷1×1016/cm3的硅（D）纯净硅二、填空题（25）1.计算半导体中载流子浓度时，不能使用玻尔兹曼统计代替费米统计的判定条件是（0

6、级）。6.pn结击穿的机理有：（雪崩击穿）、（隧道击穿）、（热电击穿）7.金在半导体硅中是一种（深能级）杂质。8.深能级杂质在半导体中起（复合中心或陷阱）的作用。浅能级杂质在半导体中起（施主或受主）的作用。9.根据强反型条件：，衬底杂质浓度（越高），VS（越大），越（不易）达到强反型。10.金属—绝缘层—n型半导体构成的MIS结构，当半导体表面积累，表面势Vs（为正值），表面耗尽时，表面势Vs(为负值)。11.分析半导体器件的基本方程分别为：（泊松方程）、（输运方程）、（连续性方程）。12.一般在非平衡状态时，往往总是多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能级偏

7、离（不多），而少数载流子的准费米能级偏离（大）。三、简答题（15）1.何谓杂质补偿？杂质补偿的意义何在？答：当半导体中既有施主又有受主时，因为施主和受主间的相互作用，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。利用杂质补偿效应，采用扩散或离子注入方法可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。杂质补偿需控制得当，否则会出现杂质的高度补偿。2.什么是欧姆接触？金属与半导体形成欧姆接触的方法有那些？答：欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触，即不产生明显的附加阻抗，而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度发生显著改变。

8、形成欧姆接触的常用方法有两种，如果：W