半导体物理半导体试题B.doc

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1、陕西科技大学试题纸课程半导体物理班级　　　　　学号姓名题号一二三四五六七八九十总分得分阅卷人一、选择题（15）1.电子在晶体中的共有化运动指的是（）。（A）电子在晶体中各处出现的几率相同（B）电子在晶体元胞中个点出现的几率相同；（C）电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同（D）电子在晶体各元胞对应点出现有相同的位相２　本征半导体是指（　　）半导体。（A）不含杂质与缺陷（B）电子密度与空穴密度相等（C）电阻率最高（D）电子密度与本征载流子密度相等３　自补偿效应的起因是（　　）（A）材料中先以存在某种深能级杂质（B）材料中先以存在某种深能级缺陷（C）掺入的杂质是

2、双性杂质（D）掺杂导致某种缺陷产生４　某半导体中导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（　　）。（A）不含施主杂质（B）不含受主杂质（C）不含任何杂质（D）处于绝对零度５　半导体中载流子扩散系数的大小决定与其中的（　　）。（A）复合机构　（B）散射机构（C）能带结构（D）晶体结构６　硅中掺金的工艺主要用于制造（　　）器件。（A）高可靠性（B）高反压（C）高频（D）大功率７　欲在掺杂适度的无表面态ｎ型硅（Wm=4.25eV）上做欧姆接触，以下四种金属中最适合的是（　　）．（A）In(Wm=3.8eV)（B）Cr(Wm=4.6eV)（C）Au(Wm=4.8e

3、V)（D）Al(Wm=4.2eV)８在光电转换过程中，硅材料一般不如砷化镓量子效率高，因其（）。（A）禁带较窄（B）禁带是间接跃迁型（C）禁带较宽（D）禁带是直接跃迁型９.公式中的mn*()。（A）对硅取值相同（B）对GaP取值相同（C）对GaAs取值相同（D）对Ge取值相同10.重空穴指的是（　　）。（A）质量较大的原子组成的半导体中的空穴（B）价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴（C）价带顶附近曲率较小的等能面上空穴（D）自施－轨道耦合分裂出来的能带上的空穴11根据费米分布函数，电子占据（EF+kT)级的几率（）。（A）等于空穴占据（EF+kT)级的几率

4、（B）等于空穴占据（EF-kT)级的几率（C）大于电子占据EF的几率（D）大于空穴占据EF的几率12对于只含有一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度的上升而（）。（A）单调上升（B）单调下降（C）经过一极小值趋近Ei（D）经过一极大值趋近Ei13若某种材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）（A）金属（B）本征半导体（C）掺杂半导体（D）高纯化合物半导体14公式中的是载流子的（）。（A）迁移率（B）寿命（C）平均自由时间（D）扩散系数15下列情形中，室温下功函数最大者为（)。（A）含硼1×1015/cm3的硅（B）含磷1×1016/cm3

5、的硅（C）含硼1×1015/cm3，磷1×1016/cm3的硅（D）纯净硅二、填空题（25）1.当半导体的杂质浓度超过一定数量后，载流子开始简并化的现象称为（重掺杂）这种半导体被称为（简并半导体）。2.p型硅掺Al后，费米能级向（下）移动，当温度升高时，费米能级向（上）移动。4.长声学波对载流子的散射几率Ps与温度T的关系是（µT-3/2），由此决定的迁移率与温度的关系为（µT3/2）。5.公式和中的mn*分别称为（导带底电子的有效质量）与（　导带电子态密度有效质量），对GaAs单晶这两个m=*的值（相同）。6.pn结击穿的机理有：（雪崩击穿）、（隧道击穿

6、）、（热电击穿）7.金在半导体硅中是一种（深杂质）杂质。8.两性杂质是指在半导体中既可作（施主）又可作（受主）的杂质。9.根据强反型条件：，衬底杂质浓度（越高），VS（越大），越（不易）达到强反型。10.金属—绝缘层—p型半导体构成的MIS结构，当半导体表面积累，表面势Vs（为负值），表面耗尽时，表面势Vs(为正值)。11.分析半导体器件的基本方程分别为：（泊松方程）、（输运方程）、（连续性方程）。12.一般在非平衡状态时，往往总是多数载流子的准费米能级和平衡时的费米能级偏离（不多），而少数载流子的准费米能级偏离（很大）。三、简答题（15）1.何谓杂质补偿

7、？杂质补偿的意义何在？答：当半导体中既有施主又有受主时，施主和受主将先互相抵消，剩余的杂质最后电离，这就是杂质补偿。利用杂质补偿效应，可以根据需要改变半导体中某个区域的导电类型，制造各种器件。2.什么是欧姆接触？金属与半导体形成欧姆接触的方法有那些？答：欧姆接触是指其电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触。形成欧姆接触的常用方法有两种，其一是金属与重掺杂n型半导体形成能产生隧道效应的薄势垒层，其二是金属与p型半导体接触构成反阻挡层。3.平均自由时间与非平衡载流子的寿命又有何不同？答：平均自由时间是载流子连续两次散射平均所需的自由时间，非平衡载流子的寿

8、命是指非平衡载流子的平均生存时间。前者与散射有关，散射越弱，平均自