常用半导体器件练习题.doc

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1、第1章常用半导体器件一．选择题1、半导体导电的载流子是____C____，金属导电的载流子是_____A__。A．电子B．空穴C．电子和空穴　　　Ｄ．原子核2、在纯净半导体中掺入微量3价元素形成的是___A_____型半导体。A.PB.NC.PND.电子导电3、纯净半导体中掺入微量5价元素形成的是____B____型半导体。A.PB.NC.PND.空穴导电4、N型半导体多数载流子是B，少数载流子是A；P型半导体中多数载流子是A，少数载流子是B。A．空穴　B．电子　　　　Ｃ．原子核　　　Ｄ．中子5、杂质半导体中多数载流子浓度取决于D，少数载流子浓度取于B。A．反向电压的大小B．环境温度C

2、．制作时间D．掺入杂质的浓度6、PN结正向导通时，需外加一定的电压U，此时，电压U的正端应接PN结的A，负端应接PN结B。A．P区B．N区7、二极管的反向饱和电流主要与B有关。(当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。)A．反向电压的大小B．环境温度C．制作时间D．掺入杂质的浓度8、二极管的伏安特性曲线反映的是二极管A的关系曲线。A．VD-IDB．VD-rDC．ID-rDD．f-ID9、用万用表测量二极管的极性，将红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管的C。A．正极B．负极C．无法确定10、下列

3、器件中，B不属于特殊二极管。A．稳压管B．整流管C．发光管D．光电管11、稳压二极管稳压，利用的是稳压二极管的C。A．正向特性B．反向特性C．反向击穿特性12、稳压管的稳定电压VZ是指其D。A．反向偏置电压B．正向导通电压C．死区电压D．反向击穿电压13、光电二极管有光线照射时，反向电阻A。(反压下，光照产生光电流)A．减少B．增大C．基本不变D．无法确定14、三极管的主要特征是具有____C____作用。A．电压放大B．单向导电C．电流放大D．电流与电压放大15、三极管处于放大状态时____A____。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏D.

4、发射结反偏，集电结正偏16、NPN三极管工作在放大状态时，其两个结的偏置为A。A．UBE>0、UBE0、UBE>UCED．UBE<0、UCE>017、.对于PNP型三极管，为实现电流放大，各极电位必须满足___B____。A．UC>UB>UEB．UCUC>UED．UBUB>UEB．UCUC>UED．UB

5、uCE与iCC．uBE与iCD．uBE与iB20、输出特性曲线反映三极管____B____关系的特性曲线。A.uCE与iBB.uCE与iCC.uBE与iCD.uBE与iB21、场效应管三个电极中，用D表示的电极称为_____D______，用S表示的电极称为____B____，用G表示的电极称为_____A__。A．栅极B．源极C．基极D．漏极22、场效应管的转移特性曲线反映的是______D_____之间的关系。A．与B．与C．与D．与23、场效应管的输出特性曲线反映的是_______B____之间的关系。A．与B。与C．与D。与24、图3.4（a）、（b）分别代表___D_____

6、__绝缘栅场效应管。A．P沟道增强型与N沟道耗尽型B．N沟道增强型与N沟道耗尽型C．N沟道耗尽型与P沟道增强型D．P沟道耗尽型与N沟道增强型25、场效应管的低频跨导表征_____C_____的控制作用。A．对B。对C．对D。对二．填空题1.半导体具有热敏特性、光敏特性和掺杂特性。2.温度___升高_____将使半导体的导电能力大大增加。3.半导体材料中有两种载流子，即自由电子和空穴。4.杂质半导体按导电类型分为P型半导体和N型半导体。5.N型半导体多子是自由电子；P型半导体多子是空穴。6.PN结的基本特点是具有单向导电性，PN结正向偏置时导通，反向偏置时截止。7.二极管的伏安特性有：正

7、向、反向和反向击穿特性。8.二极管的反向电流随外界温度的升高而升高；反向电流越小，说明二极管的单向导电性越好。一般硅二极管的反向电流比锗管小很多。9.二极管处于反偏时，呈现电阻__无限大______。10.二极管反向饱和电流IS会随___温度_____升高而增大。11.二极管的最高反向工作电压URM的含义是二级管工作时允许外加的最大反向电压。12.稳压二极管通常是工作在反向击穿状态下的特殊二极管，发光二极管的PN结工作在正向偏置状态时会发光。1