项目8常用半导体器件练习题

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1、项目8常用半导体器件性能与测试任务&1二极管的性能与测试一、判断题I•漂移运动是少数载流子运动而形成的。（V）2.PN结正向电流的大小由温度决定的。（X）3.PN结内的扩散电流是载流子的电场力作用下形成的。（X）4•因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X）5.PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（V）6.处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（X）7•在外电场作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（V）&P型半导体屮，多数载流子是电子，少数载流子是空穴。（X）9.晶体二极管有一个PN结，所以有单向导电性。（V）10.晶体二极管的正向

2、特性也有稳压作用。（V）II•硅稳压管的动态电阻小，则稳压管的稳压性能愈好。（V）12.将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起，其交界处形成PN结。（J）13•稳压二极管按材料分有硅管和错管。（X）14.用万用表欧姆扌当的不同量程去测二极管的正向电阻，其数值是相同的。（X）15•二极管的反向电阻越大，其单向导电性能越好。（X）16•用500型万用表测试发光二极管，应选RX10K挡。（V）二、选择题1.在木征半导体中掺入微量的（D）价元素，形成N型半导体。A.二B三C.四D.五2•在P型半导体中，自由电子浓度（C）空穴浓度。A.大于B.等于C.小于D.无法确定3.木

3、征半导体温度升高以后，（C）。A.自由电子增多，空穴数基本不变A.空穴数增多，自由电子数基本不变B.自由屯子数和空穴数都增多，且数目相同C.自由电子数和空穴数都不变4•空间电荷区是由（C）构成的。A.电子B.空穴C.离子D.分子5.PN结加正向电压时，空间电荷区将（A）。A.变窄B.基本不变C.变宽D.无法确定6•稳压管的稳压区是其工作在（C）oA.正向导通B.反向截止C.反向击穿D.都有可能7•当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。A.增大B.不变C.减小D.都有可能&当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（A）。A.增大B.减小C.不变D.无法确定9.测量小功

4、率晶体二极管性能好坏时，应把万用表欧姆档拨到（A）。A.RX100或RX1KB.RX1C.RX10KD.RX10010•半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（B）。A.p型半导体B.本征半导体C.N型半导体D.无法确定11•稳压管的稳压性能是利用（B）实现的。B.PN结的反向击穿特性D.本征半导体）反向电阻。D.不确定A.PN结的单向导电性C.PN结的正向导通特性12•二极管的正向电阻（BA.大于B.小于C.等于13.某二极管反向击穿电压为140U,则它的最高反向工作电压为（A.280VB.140VC.70VD.40V14•考虑二极管正向压降为0.7V时，输

5、出电压U0为（B）oA.-14.3VB.-0.7VC.-12VD.-15V15.P型半导体屮多数载流子是（D）oA.正离子B.负离子C.自由电子D.空穴15.N型半导体中多数载流子是（C）oA.正离子B.负离子C.自由电子D.空穴17•用万用表RX10和RX1K挡分别测量二极管的正向电阻，测量结果是（C）。A.相同B.RX10挡的测试值较小C.RX1K挡的测试值较小D.RX1挡的测试值较小1&用万用表不同欧姆档测量二极管的止向电阻值时，测得的阻值不相同，其原因是（C）oA.二极管的质量差氏万用表不同欧姆档有不同的内阻C.二极管有非线性的伏安特性D.无法确定任务8.2三极管

6、的性能与测试一、判断题1•三极管两个PN结均反偏，说明三极管工作与饱和状态。（X）2.三极管集射电压为0.1-0.3V,说明其工作于放大状态。（X）3.三极管集射电压约为电源电压，说明其工作于截止状态。（V）4.三极管处于放大状态时，发射结和集电结均正偏。（X）5•两个二极管反向连接起来可作为三极管使用。（X）6•—般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（X）5.三极管的发射结处于正向偏置吋，三极管导通。（X）二、选择题1•下列数据中，对NPN型三极管属于放大状态的是（A）oA.VBE>0,VbKVce时C・Vbe〉0,VBe>Vce时B.Vbe<0,Vbe<

7、Vce时D.VBE<0,VBe>Vce时D.100B.掺入的杂质元素不同D.管脚排列方式不同2.工作在放大区域的某三极管，当R从20nA增犬到40nA时，Tc从1皿变为2mA则它的B值约为（B）。A.10B.50C.803.NPN型和PNP型品体管的区别是（C）。A.由两种不同的材料硅和错制成的C.P区和N区的位置不同3.当晶体三极管的发射结和集电结都反偏时，则晶体三极管的集电极电流将(D)oA・增大B.减少C.反向D.几乎为零5•为了使三极管可靠地截止，电路必须满足（D）。A.发射结正偏，集电结反偏B.发射结反偏，集电结正偏