吴援明习题第四章.doc

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1、第四章      MOSFET及其放大电路习题类型4．1～4.3   FET工作状态的分析、计算、判断；4．4    FET放大电路能否正常放大的分析、判断；4．5    FET输出特性曲线的画法；4．6    由FET的输出特性曲线，判断其管型及有关管子参数的计算；4．7    自给偏压式偏置电路静态工作点Q的估算；4．8～4.11  FET放大电路静态工作点Q、中频段交流指标的计算；4．12   FET放大电路小信号条件的计算；4．13   混和偏压式偏置电路的设计；4，14，4．15，4．19～4.21   FET基本放大电

2、路的设计及中频段交流指标、动态范围的计算；4．16～4.18 共漏放大电路中频段交流指标的计算、证明；4．22～4.27 由FET与BJT组成的两级放大电路中频段交流指标的计算；4．28～4.30 FET两级放大电路的设计。 4.1  如题图4.1中的FET分别工作在什么区？（a） VP=-3V      （b） VP=-5V   （c） VP=4V题图 4.1(a)这是N-JFET。，沟道全夹断，FET处于截止区。(b)这是N-JFET。，，沟道部分夹断，FET处于放大区。(c)这是P-JFET。，，FET偏置在放大区。4.2 

3、 设题图4.2中的MOSFET的均为1V，问它们各工作于什么区？题图4.2(a)N沟道耗尽型MOSFET，V，，且，工作于放大区。(b)N沟道增强型MOSFET，V，，且，工作于放大区。(c)P沟道耗尽型MOSFET，V，，工作于截止区。(d)P沟道增强型MOSFET，V，工作于截止区。4.3  题图4.3所示的四个电路，已知：Q1的 Q2的 Q3的；Q4的。试分析各电路中的场效应管分别工作于哪一个区？（a）                    (b)             (c)                      (

4、d)题图4.3解：（1）由图（a）所示电路可知，Q1是P沟道JFET，其设Q1工作在放大区（即恒流区或饱和区），则        所以Q1工作在放大区。（2）由图（b）所示电路可知，Q2是N沟道JFET，其。设Q2工作在放大区，则 故假设错误，因此Q2工作在可变电阻区。（3）由图（c）所示电路可知，Q3是P沟道增强型MOSFET，其，故Q3工作在截止区。（4）由图（d）所示电路可知，Q4是N沟道耗尽型MOSFET，其。设Q4工作在放大区，则所以Q4工作在放大区。 4.4  试判断题图4.4所示的FET放大电路能否进行正常放大，并说

5、明理由。(a)                             (b)                         (c)                             (d)                    (e)                                      题图4.4解：（1）图（a）所示电路对信号不能正常放大，因为FET为N沟道JFET，要求偏置电压才能正常放大，而本电路中。（2）图（b）所示电路对信号不能正常放大，因为FET为P沟道增强型MOSFET，要求偏置电压才

6、能正常放大，而在本电路中采用自给偏压式电路结构，其，不能建立正常的偏置电压。（3）图（c）所示电路只要选择合适的静态工作点和适当大小的输入信号，就能保证对信号进行不失真地放大，因为FET为N沟道耗尽型MOSFET，电路采用电阻分压式固定偏置电路，偏置电压而且有正确的信号输入、输出回路，满足了正常放大的基本条件。（4）图（d）所示电路只要选择合适的静态工作点和适当大小的输入信号，就能保证对信号进行不失真地放大，因为FET为N沟道耗尽型MOSFET，电路采用自给偏压式电路结构，其偏置电压而且有正确的信号输入、输出回路，满足了正常放大的

7、基本条件。（5）图（e）所示电路只要选择合适的静态工作点和适当大小的输入信号，就能保证对信号进行不失真地放大，因为FET为P沟道增强型MOSFET，电路采用电阻分压式固定偏置电路，可通过选用合适的和使得，而且，又有正确的信号输入、输出回路，满足了正常放大的基本条件。 4.5  一支P沟道耗尽型MOSFET的IDSS=—6mA VTP=4V，另一支P沟道增强型MOSFET的VTP=-4V.。试分别画出它们的输出特性曲线，标明电阻区和恒流区以及它们的分界线（即预夹断轨迹）。解：  曲线分别如题图4.5.1和4.5.2所示。题图4.5.

8、1                                   题图4.5.24．6  已知FET的输出特性如题图4.6所示。（1）判断该管类型，并确定VP和IDSS的数值(2)求VDS＝10V，ID＝2mA处的跨导gm。