吴援明习题第二章.doc

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1、第二章    双极型晶体三极管（BJT）习题类型2．1，2．2      BJT的管型、管材料及三个电极的判断；2．3，2．5，2．6    BJT的工作状态的分析与判断；2．4，2．9，2．10   BJT的计算；2．7，2．8      BJT饱和状态的分析、计算；2．11   温度对BJT的有关参数、静态工作点Q及输出特性曲线影响的分析、计算；2．12   判断BJT正常工作有关参数的分析、计算；2．13   选择最佳的BJT有关参数的分析、计算；2．14   共基获放大电路在小信号条件下输

2、出电压的证明；2．15   BJT厄利电压VA的估算。2.1 已知BJT工作在线性放大区，并测得各电极对地电位如题图2.1所示。试画出各BJT的电路符号，并说明是Ge管还是Si管。          (a)             (b)             (c)             (d)                                             题图2.1解：(a)         E(0V)       B(0.7V)         C(8V)   

3、                     (b)    C(-8V)      B(-0.7V)            E(0V)                    (c)        C(1V)       B(3.7V)          E(4V)                (d)        E(4V)      B(4.2V)           C(9V)                2.2 已知两只BJT的电流放大系数分别为100和50,现测得放大电路中这两只三极管各极

4、的电流如题图2.2所示。分别求另一极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出三极管的符号。                (a)              (b)                              题图2.2解： (a)                 (b)题图2.2.12.3 用万用表直流电压档测得电路中BJT各极的对地电位如题图2.3所示，试判断这些BJT分别处于哪种工作状态。            (a)             (b)       (c)      

5、    (d)                                题图2.3解：(a)3AD6A:Ge—PNP  发射结正偏，集电结反偏；放大状态。(b)3BX1A:Ge－NPN  发射结正偏，集电结反偏；放大状态。(c)3DG8C:Si—NPN   发射结反偏，集电结反偏；截止状态。(d)3CG21:Si—PNP    发射结正偏，集电结零偏；临界饱和状态。 2.4题图2.4所示电路可以用来测量晶体管的直流参数。改变电阻RB的值，由两支电流表测得两组IB和IC的数值如下表所示。IB6

6、μA18μAIC0.4mA1.12mA（1）由数据表计算﹑ICBO﹑ICEO和   （2 ）图中晶体管是Si管还是Ge管？    题图2.4解：（1）由                联立  求得，（2）是Ge管。为量级，硅管不可有如此大的集电结反向饱和电流。2.5试判断题图2.5电路中BJT的发射结和集电结的偏置状态                                 题图2.5解：(a) 发射结零偏,集电结反偏。(b)发射结正偏，集电结反偏。(c)发射结反偏，集电结正偏。 2.6 

7、题图2.6所示电路中，硅BJT的，ICBO≈0。试通过计算判断当RB分别等于200kΩ和50kΩ时，晶体管工作在什么状态。                                题图2.6解：（1），设BJT工作在放大区，取V，则mA                          V。 ，集电结反偏，假设成立，BJT工作在放大区。（2），若假设BJT工作在放大区，V，则，mAV不可能为负值，故假设不成立。该管已进入饱和区。取饱和的V，则mA。3.27mA为改变时，可能达到的最大电流。 

8、2.7 题图2.7所示电路中，硅PNP管的，，ICBO≈0。试问：RB＝？时BJT刚好处于临界饱和状态？                            题图2.7解：PNP管临界饱和时，取V，则mAmA                             产生上述的为。2.8 题图2.8所示电路中，硅BJT的，，电源电压。(1)设，求基极临界饱和电流。(2)设，欲使三极管饱和，的最小值为多少？题图2.8解：（1）集电极临界饱和电流基极临界饱和电流(2)欲使管子饱和，应有