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时间:2020-04-30
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1、班级学号:3903姓名:注意密封线内不得答题!北京航空航天大学自动化科学与电气工程学院试卷考试科目:电子技术基础2000学年—2001学年第二学期一、(10分)由N沟道增强型MOS场效应管与NPN型晶体三极管构成的放大电路如图所示,已知gm、β、rbe。1、画出交流等效电路;2、写出输入电阻表达式;3、写出输出电阻表达式;4、写出放大倍数A=Vo/Vs表达式;VS~RG1RG2RDRS+-RGRS1+-二、(10分)判断下列电路:RLVo1、判断反馈极性与组态:+ECREVIRLVoRLVoVIRF+ECRCRF2、用相位平衡
2、条件判断能否起振:Vo-++-ξ3+5V1、已知工作点稳定电路中晶体管的rbe较大。当β增大2倍时,电路放大倍数如何变化?①增大2倍;②基本不变;③无法确定。(答案:)R1RER2C+-三、(10分)方波发生电路如图。±VzVo1、定性画出Vc与Vo波形;+ECRB2RB1-Vc+2、写出振荡周期表达式;VORVIRC四、(10分)功率放大电路如图,设功放管饱和压降Vces=1V,求:1、最大输出功率Pom;2、产生最大输出时的输入电压有效值;3、VBE倍增电路由哪个晶体管构成?若该晶体管发生短路故障,输出波形将出现什么失真?
3、4、RC元件构成什么电路?起什么作用?+15VT3T2RF9KT51KVIT1RG1K+RLVo8Ω-T4CT6-15VR五、(10分)求出Vo值。VIVo7805R1R27KR3R43K+-6K4K
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